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产品说明:内置 SiC-SBD 的 650V 50A 混合型 IGBT 晶体管
封装:TO-247-3产品说明:IGBT 沟槽型场截止 1200 V 30 A 267 W 通孔 TO-247N
封装:TO-247-3产品说明:IGBT 沟槽型场截止 650 V 31 A 66 W 通孔 TO-3PFM
封装:TO-3PFM产品说明:IGBT 沟槽型场截止 650 V 26 A 59 W 通孔 TO-3PFM
封装:TO-3PFM产品说明:IGBT 沟槽型场截止 600 V 48 A 111 W 通孔 TO-247G
封装:TO-247G产品说明:IGBT 沟槽型场截止 650 V 50 A 174 W 通孔 TO-247G
封装:TO-247-3产品说明:IGBT 沟槽型场截止 650 V 85 A 277 W 通孔 TO-247
封装:TO-247-3产品说明:PMIC - 稳压器 - 线性 切换式 12 输出 降压(6),线性(LDO)(6) 2MHz UQFN56BV7070
封装:56-VFQFN产品说明:PMIC - 稳压器 - 线性 切换式 13 输出 降压同步(5),线性(LDO)(8) 6MHz UCSP55M4C
封装:55-UFBGA产品说明:PMIC - 稳压器 - 线性 切换式 12 输出 降压(6),线性(LDO)(6) 2MHz
封装:56-VFQFN产品说明:LED 驱动器 IC 2 输出 DC DC 稳压器 升压 I²C 调光 30.48mA VCSP85H3
封装:32-VFBGA电话咨询:86-755-83294757
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