深圳市明佳达电子有限公司长期供应正品原装双N 沟道《PMGD280UN》MOSFET 阵列 20V 870mA 400mW 表面贴装 6-TSSOP,大量工厂库存,欢迎联系陈先生,QQ1668527835,电话13410018555,邮箱chen13410018555@163.com!!!
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产品型号:PMGD280UN
产品种类: MOSFET
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TSSOP-6
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 2 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 20 V
Id-连续漏极电流: 870 mA
Rds On-漏源导通电阻: 340 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 8 V, + 8 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 450 mV
Qg-栅极电荷: 0.89 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 400 mW
通道模式: Enhancement
工厂包装数量: 3000
应用
驱动器电路
便携式电器中的开关
简化图
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