欢迎来到深圳市明佳达电子有限公司

中文

中文
English

English

 日本語

日本語

 Русский

Русский

chen13410018555@163.com/sales@hkmjd.com

在线客服

topadv
深圳市明佳达电子有限公司
型号

VSC7427XJG-02 VSC7425XJG-02 88E6190-A0-TLA2C000

服务电话:86-755-83294757

产品分类

集成电路（IC）

以太网 模拟乘法器 RS-422/RS-485 接口 IC 隔离式CAN收发器 仪表放大器 PCI Express 交换机 汽车系统芯片 安全与认证IC 均衡器/驱动器/中继器 PCI 接口 IC ​PCIe交换机 接口 - 多协议收发器 电力线收发器 锁相环 - PLL 射频采样收发器 逻辑 - 电平转换器 接口IC - 多速率重定时器 SAS 扩展器 时钟/计时，振荡器 时钟/定时 - 纳米定时器 数字交叉点开关 超声波收发器 时钟/定时 - 延迟线 读卡器控制器

物联网/IGBT模组

2G模组 4G模组 5G模组 物联网模组 新能源模组 车规级模组 智能模组 AR/VR 蜂窝物联网模块 卫星通信模块 GNSS 模组 LPWA 模组 物联网芯片 无线通信模块

滤波器

带阻滤波器 低通滤波器 带通滤波器 SAW滤波器 BAW滤波器 Wi-Fi 滤波器 2.4GHz Wi-Fi 带通滤波器 有源滤波器​ RF 滤波器 高通滤波器 5GHz Wi-Fi 带通滤波器 6GHz Wi-Fi 带通滤波器

无线连接

Wi-Fi 6 蓝牙IC 蓝牙5.1 蓝牙5.0 蓝牙5.2 近场通信（NFC） WiFi蓝牙 Wi-Fi 芯片 超宽带 UWB IC GNSS 接收器 Wi-Fi 4 WiFi 模块 蓝牙低功耗 Wi-Fi 5 Wi-Fi 7 无线网卡芯片 蓝牙模块 WiFi 无线模块 蓝牙音频SoC

AI 处理器

分立半导体

晶体管 - FET，MOSFET - 单个 硅二极管 电源模块 射频晶体管 功率 MOSFET 模块 碳化硅（SIC）FET 模块 碳化硅（SIC）FET P 沟道 MOSFET 晶体管 - 射频 FET，MOSFET MOSFET 模块 晶闸管 二极管阵列模块 MOSFET 晶体管 N 沟道 MOSFET IGBT 晶体管 二极管与整流器 肖特基二极管与整流器 单齐纳二极管 双极晶体管阵列 功率驱动器模块 二极管 - 整流器 - 单 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 晶体管 - IGBT - 模块 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

电源管理

氮化镓 (GaN) IC 线性稳压器LDO AC-DC控制器和稳压器 DC-DC电源产品 电压基准 电池管理 以太网供电（PoE）控制器

连接器

E.L.P.™高对接循环连接器 ExtremePort Swift连接器 Multi-Trak™ 连接器 VITA 67.3 连接器 SpaceVPX VITA 78连接器 ExtremePort Z-Link 连接器 Displayport连接器 磁性插孔连接器 SAS/PCIe 5.0 连接器 SAS/PCIe 4.0 连接器 Mini USB连接器 SFP112G连接器 MiniSAS HD连接器 OSFP-XD连接器 DSFP连接器 CXP连接器 QSFP连接器 OSFP连接器 SFP连接器 CFP2连接器 Mini Cool Edge IO 连接器 SlimSAS™ 连接器 Mini-SAS 高密度连接器 OCuLink连接器

传感器

霍尔效应开关 电感式传感器 霍尔效应锁存器和开关 生物传感器 飞行时间传感器 传感器信号调节器 光学传感器 流量传感器 板上安装湿度传感器 生物识别传感器 速度传感器 湿度传感器 霍尔效应电流传感器​ 超声波传感器 光学传感器，光电二极管 湿度、湿敏传感器 ​光学探测器和传感器 - 红外探测器 板上安装温度传感器 气体传感器 位置传感器 工业毫米波雷达传感器 汽车毫米波雷达传感器 图像传感器 雷达传感器

存储器

NOR 闪存 非易失性存储器 随机存取存储器RAM 静态随机存取存储器SRAM 同步动态随机存取内存SDRAM AI 存储器 F-RAM LPDDR5 uMCP EEPROM 固态硬盘 - SSD 标准串行EEPROM 汽车级串行EEPROM eMMC ​伪静态随机存储器(PSRAM) 可擦除可编程ROM NAND 闪存 通用闪存存储器 - UFS 动态随机存取存储器DRAM 存储器 - 模块

AI 加速器

最新资讯
公司动态
行业资讯
首页 /行业资讯 /

英特尔、三星、爱立信和IBM正共同研发下一代芯片

英特尔、三星、爱立信和IBM正共同研发下一代芯片

来源：本站时间：2023-02-02浏览数：

三星、爱立信、IBM 和英特尔将在设备性能、芯片和系统级、可回收性、环境影响和可制造性等领域携手合作。

微信图片_20230202160328.png

2月2日消息，据报道，三星、英特尔、IBM和爱立信正在联手研究和开发下一代芯片，该合作项目是美国国家科学基金会（NSF）半导体未来（FuSe）计划的一部分，并获得其5000万美元资助。


NSF 和四家科技巨头将在不同领域的“共同设计”基础上开发下一代芯片。三星、爱立信、IBM 和英特尔将在设备性能、芯片和系统级、可回收性、环境影响和可制造性等领域携手合作。


NSF主任表示：“未来的半导体和微电子将需要跨越材料、设备和系统，以及学术和工业领域全方位人才的参与。”


通过5000万美元的资金，NSF旨在三星、爱立信、IBM 和英特尔之间的这种合作伙伴关系“告知研究需求，刺激创新，加速成果向市场的转化，并为未来的劳动力做好准备。”


而对于消费者和企业市场究竟何时会看到这些针对下一代计算技术的合作成果，还有待确定。


公司首页：www.hkmjd.com

北京今年将新增1万个5G基站 返回
列表 到2032年底，边缘人工智能市场将达到近400亿美元

新闻推荐

推荐产品

88E1112-C2-NNC1C000

88E1112-C2-NNC1C000

 VSC7425XJG-02

VSC7425XJG-02

 VSC7552TSN-V/5CC

VSC7552TSN-V/5CC

 VSC7427XJG-02

VSC7427XJG-02

 88E6190-A0-TLA2C000

88E6190-A0-TLA2C000

 XC6VLX195T-2FFG784C

XC6VLX195T-2FFG784C
公司介绍
关于我们
新闻资讯
荣誉资质
库存查询
分类查询
供应商查询
帮助中心
在线询价
常见问题
网站地图
联系我们

电话咨询：86-755-83294757

企业QQ：1668527835/ 2850151598/ 2850151584/ 2850151585

服务时间：9:00-18:00

联系邮箱：chen13410018555@163.com/sales@hkmjd.com

公司地址：广东省深圳市福田区振中路新亚洲国利大厦1239-1241室

CopyRight©2022 版权归明佳达电子公司所有  粤ICP备05062024号-12

官方二维码

品牌索引:

A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

友情链接:

skype:mjdsaler