供应 INFINEON 产品：IGBT 晶体管、MOSFET 晶体管、GaN 晶体管

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供应 INFINEON 产品：IGBT 晶体管、MOSFET 晶体管、GaN 晶体管

来源：本站时间：2024-12-04浏览数：

深圳市明佳达电子有限公司供应 INFINEON 产品：IGBT 晶体管、MOSFET 晶体管、GaN 晶体管深圳市明佳达电子有限公司专业从事电子元器件销售，我们提供丰富的产品选择，精准的供应链管理，以及全面的技术支持。公司致力于为客户提供高效、便捷、优质的电子元器件采购体验。…

深圳市明佳达电子有限公司供应 INFINEON 产品：IGBT 晶体管、MOSFET 晶体管、GaN 晶体管

深圳市明佳达电子有限公司专业从事电子元器件销售，我们提供丰富的产品选择，精准的供应链管理，以及全面的技术支持。公司致力于为客户提供高效、便捷、优质的电子元器件采购体验。

IGBT 晶体管 - 通过突破性创新和应用聚焦引领市场

英飞凌致力于实现最高标准的性能和质量，提供首屈一指的全面分立式 IGBT 产品组合。新产品针对特定应用开发，以实现最高价值。

从 600V 到 1600V，我们提供各种 IGBT 电压等级，以满足各种应用中的不同电压要求。我们的分立式 IGBT 封装组合包括 SMD（表面贴装器件）封装（如 D²PAK、DPAK、SOT-223）和通孔封装（如 TO220、TO220FP、TO247、TO247-4、TO247PLUS、TO-247PLUS-4 和 TO247 高级隔离封装）。

分立式 IGBT 解决方案有反并联二极管和无反并联二极管两种，非常适合用于工业、家电和汽车应用。

MOSFET 晶体管 - OptiMOS™、StrongIRFET™ 和 CoolMOS™，适用于低、中和高功率应用的低、中和高压功率 MOSFET

N 沟道 MOSFET 利用电子创建电流沟道。这样，当 MOSFET 启动和接通时，电子就能在电流中快速、轻松地移动。由于 N 沟道 MOSFET 的特殊性，在相同的 RDS（导通）值下，载流子的迁移率大约是 P 沟道的两到三倍，而 P 沟道芯片的尺寸必须是 N 沟道的两到三倍。因此，在大电流应用中，使用 MOSFET 晶体管 N 沟道通常是首选。

氮化镓晶体管 - 为消费、工业和汽车应用提供最高效率和功率密度的分立和集成解决方案

英飞凌的氮化镓晶体管在高达 700 V 的电压范围内可实现高效的功率转换。我们的氮化镓器件具有快速的导通/关断速度、最小的开关损耗和多种封装选项，从而能够简单快速地将产品推向市场。这些器件符合广泛的标准，超越了行业标准。氮化镓技术大大提高了系统的整体性能，并最大限度地降低了系统成本，提高了易用性。

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