深圳市明佳达电子有限公司 [供应，回收] MMA043PP4 (Microchip) GaAs pHEMT MMIC 宽带低噪声放大器概述：MMA043PP4 是一款砷化镓（GaAs）伪非晶高电子迁移率晶体管（pHEMT）低噪声宽带放大器，采用 4mm 4mm 无引线表面贴装封装，工作频率为 0.5GHz 至 12GHz。MMA043PP4 …
深圳市明佳达电子有限公司 [供应，回收] MMA043PP4 (Microchip) GaAs pHEMT MMIC 宽带低噪声放大器
概述：
MMA043PP4 是一款砷化镓（GaAs）伪非晶高电子迁移率晶体管（pHEMT）低噪声宽带放大器，采用 4mm × 4mm 无引线表面贴装封装，工作频率为 0.5GHz 至 12GHz。
MMA043PP4 放大器的增益为 16 dB，噪声系数为 2.0 dB，输出 IP3 为 28 dBm，输出 P1dB 为 17 dBm，而 5 V 电源电流仅为 55 mA。+17 dBm 的 P1dB 输出功率使 LNA 能够用作平衡、I/Q 或图像抑制混频器的 LO 驱动器。射频端口内部匹配为 50 Ω。
以下是 MMA043PP4 器件的主要特性：
砷化镓 pHEMT LNA 单片微波集成电路 (MMIC)
低噪声：0.5 GHz 至 6 GHz 范围内为 1.5 dB
高增益：16 dB
宽带性能 0.5 千兆赫至 12 千兆赫
出色的 P1dB 输出功率：17 dBm
高 OIP3：28 dBm
50 Ω 匹配输入/输出
紧凑型 24 引线 4 mm × 4 mm × 1.2 mm QFN 封装
MMA043PP4 器件专为以下应用而设计：
测试仪器
宽带通信
无线基础设施
宽带微波无线电
MMA043PP4 - 应用电路原理图：
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