深圳市明佳达电子有限公司推出英飞凌 IMDQ75R008M1H 一款750V CoolSiC™ 功率 MOSFET 晶体管，高度坚固的 SiC MOSFET，具有最佳的系统性能和可靠性。IMDQ75R008M1H碳化硅 MOSFET 单管的一些关键特性和优势：高度稳定的 750V 技术：这款 MOSFET 采用英飞凌的 CoolSiC™ 技…
深圳市明佳达电子有限公司推出英飞凌 IMDQ75R008M1H 一款750V CoolSiC™ 功率 MOSFET 晶体管，高度坚固的 SiC MOSFET，具有最佳的系统性能和可靠性。
IMDQ75R008M1H碳化硅 MOSFET 单管的一些关键特性和优势：
高度稳定的 750V 技术：这款 MOSFET 采用英飞凌的 CoolSiC™ 技术，提供稳定的 750V 工作电压。
同类最佳的 RDS(on) x Qfr：在导通电阻和栅极电荷的乘积方面，IMDQ75R008M1H 提供了同类最佳的性能。
出色的 Ron x Qoss 和 Ron x QG：在导通电阻和输出电荷以及栅极电荷的乘积方面表现出色。
低 Crss/Ciss 和高 Vgsth：具有较低的反向传输电容和较高的阈值电压。
100% 经过雪崩测试：确保了器件的高可靠性。
.XT 互连技术：采用英飞凌的 .XT 互连技术，具有同类最佳的散热性能。
尖端的顶部冷却封装：提供了高效的热耗散能力。
卓越的硬开关效率：在硬开关应用中实现了高效率。
实现更高的开关频率：允许在更高的频率下工作，减小系统尺寸、增大功率密度。
可靠性更高：提供了更高的可靠性和更长的使用寿命。
可承受超过 500V 的总线电压：能够承受较高的总线电压。
对寄生匝的稳健性：对寄生匝具有稳健的性能。
单极驱动：简化了驱动电路的设计。
同类最佳的热耗散：在热耗散方面表现优异。
IMDQ75R008M1H的应用领域包括固态继电器 (SSR)、单相组串逆变器解决方案、用于电信基础设施的 AC-DC 电源转换、储能系统、电动汽车充电以及服务器电源等。这款碳化硅 MOSFET 单管以其高效节能特性和最佳可靠性，在各种高要求的电力电子应用中发挥着重要作用。
ID (@25°C) 最大值： 173 A
最低和最高工作温度： -55 °C 175 °C
封装： Q-DPAK
极性： N
认证： 工业级
RDS (on) (@ Tj = 25°C) ：7.8 mΩ
技术： CoolSiC™ G1
最大 VDS： 750 V
公司网址：www.hkmjd.com
电话咨询：86-755-83294757
企业QQ：1668527835/ 2850151598/ 2850151584/ 2850151585
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