明佳达供应功率MOSFET IRF3808STRRPBF IRF3808 N 通道 表面贴装型 75 V 106A，全新原装，现货库存，实单有接受价可详谈！
明佳达供应功率MOSFET IRF3808STRRPBF IRF3808 N 通道 表面贴装型 75 V 106A，全新原装，现货库存，实单有接受价可详谈！
产品型号：IRF3808STRRPBF
批号：11+
封装：TO-263
描述：MOSFET N-CH 75V 106A D2PAK
优势
先进的工艺技术
超低导通电阻
动态dv/dt等级
175°C工作温度
快速开关
允许重复雪崩，最高可达 Tjmax
无铅
属性参数
产品种类: MOSFET
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-252-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 75 V
Id-连续漏极电流: 106 A
Rds On-漏源导通电阻: 7 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 4 V
Qg-栅极电荷: 150 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 200 W
通道模式: Enhancement
配置: Single
下降时间: 120 ns
正向跨导 - 最小值: 100 S
高度: 2.3 mm
长度: 6.5 mm
上升时间: 140 ns
典型关闭延迟时间: 68 ns
典型接通延迟时间: 16 ns
典型应用
工业汽车
联系我们：
QQ1668527835
电话13410018555
邮箱chen13410018555@163.com
公司首页：www.hkmjd.com
电话咨询：86-755-83294757
企业QQ：1668527835/ 2850151598/ 2850151584/ 2850151585
服务时间：9:00-18:00
联系邮箱：chen13410018555@163.com/sales@hkmjd.com
公司地址：广东省深圳市福田区振中路新亚洲国利大厦1239-1241室
CopyRight©2022 版权归明佳达电子公司所有 粤ICP备05062024号-12
官方二维码
友情链接:
最新资讯
