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【SK hynix 存储器 IC】 HMAA8GR7CJR4N-XN:低功耗高速寄存 DDR4 SDRAM DIMMs

【SK hynix 存储器 IC】 HMAA8GR7CJR4N-XN:低功耗高速寄存 DDR4 SDRAM DIMMs

来源:本站时间:2024-11-04浏览数:

【SK hynix 存储器 IC】 HMAA8GR7CJR4N-XN:低功耗高速寄存 DDR4 SDRAM DIMMsHMAA8GR7CJR4N-XN 的描述HMAA8GR7CJR4N-XN 寄存 DDR4 SDRAM DIMMs(寄存双倍数据速率同步 DRAM 双列直插式内存模块)是使用 DDR4 SDRAM 器件的低功耗、高速运行内存模块。这些寄存 SDRAM DIMM …

【SK hynix 存储器 IC】 HMAA8GR7CJR4N-XN:低功耗高速寄存 DDR4 SDRAM DIMMs


HMAA8GR7CJR4N-XN 的描述

HMAA8GR7CJR4N-XN 寄存 DDR4 SDRAM DIMMs(寄存双倍数据速率同步 DRAM 双列直插式内存模块)是使用 DDR4 SDRAM 器件的低功耗、高速运行内存模块。这些寄存 SDRAM DIMM 用于在服务器和工作站等系统中作为主内存使用。


HMAA8GR7CJR4N-XN 的规格

内存容量:64GB

内存技术:DDR4 SDRAM

产品电压:1.2V

内存速度:3200 MHz

RAM Standard:DDR4-3200/PC4-25600

错误识别:ECC

信号类型:寄存

列访问选通(CAS):CL22

级数:双级 x4

引脚数量:288 引脚

内存类型:RDIMM


HMAA8GR7CJR4N-XN 的特点

电源: VDD=1.2V (1.14V 至 1.26V)

VDDQ= 1.2V (1.14V 至 1.26V)

VPP- 2.5V(2.375V 至 2.75V)

VDDSPD=2.25V 至 2.75V

16 个内部存储体

数据传输速率: PC4-3200、PC4-2933、2666、PC4-2400、PC4-2133、PC4-1866、PC4- 1600

双向差分数据选通

8 位预取值

突发长度 (BL) 实时切换 BL8 或 BC4(突发斩波)

支持 ECC 错误纠正和检测

片上终端 (ODT)

集成 SPD 的温度传感器

支持按 DRAM 寻址

可生成内部 Vref DQ 电平

所有速度等级均支持写 CRC

支持 DBI(数据总线反转)(x8)

支持 CA 奇偶校验(命令/地址奇偶校验)模式


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