明佳达电子【供应】英飞凌碳化硅SiC FF17MR12W1M1HPB11 集成 CoolSiC™ MOSFET 的半桥 1200V 模块描述:FF17MR12W1M1HPB11EasyDUAL™ 1B 1200 V, 33 mΩ 半桥模块采用了第一代增强型CoolSiC™ MOSFET 、集成式NTC 温度传感器、预涂热界面材料和 PressFIT 压接技术。特征:…
明佳达电子【供应】英飞凌碳化硅SiC FF17MR12W1M1HPB11 集成 CoolSiC™ MOSFET 的半桥 1200V 模块
EasyDUAL™ 1B 1200 V, 33 mΩ 半桥模块采用了第一代增强型CoolSiC™ MOSFET 、集成式NTC 温度传感器、预涂热界面材料和 PressFIT 压接技术。
12 毫米高的同类最佳封装
将领先宽禁带材料与 Easy 模块封装相结合
模块杂散电感极低
较宽的反偏安全工作区 (RBSOA)
采用第一代增强型沟槽技术的1200 V CoolSiC™ MOSFET
建议栅极驱动电压窗口增大:从 +15 扩展至 +18 V,从 0 V 扩展至 -5 V
扩展的最大栅-源电压:+23 V 和 -10 V
过载条件下工作结温 Tvjop 高达 175°C
PressFIT 引脚
集成 NTC 温度传感器
热界面材料
系列: CoolSiC™
包装: 托盘
零件状态: 在售
技术: 碳化硅(SiC)
漏源电压(Vdss): 1200V(1.2kV)
安装类型: 底座安装
封装/外壳: 模块
供应商器件封装: AG-EASY1B
应用
高频开关应用
DC/DC 变换器
UPS 系统
电动车直流充电
图表
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