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英飞凌碳化硅SiC_FF17MR12W1M1HPB11_EasyDUAL™ 1B 1200 V, 33 mΩ 半桥模块

英飞凌碳化硅SiC_FF17MR12W1M1HPB11_EasyDUAL™ 1B 1200 V, 33 mΩ 半桥模块

来源:本站时间:2024-10-29浏览数:

明佳达电子【供应】英飞凌碳化硅SiC FF17MR12W1M1HPB11 集成 CoolSiC™ MOSFET 的半桥 1200V 模块描述:FF17MR12W1M1HPB11EasyDUAL™ 1B 1200 V, 33 mΩ 半桥模块采用了第一代增强型CoolSiC™ MOSFET 、集成式NTC 温度传感器、预涂热界面材料和 PressFIT 压接技术。特征:…

明佳达电子【供应】英飞凌碳化硅SiC FF17MR12W1M1HPB11 集成 CoolSiC™ MOSFET 的半桥 1200V 模块

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描述:FF17MR12W1M1HPB11

EasyDUAL™ 1B 1200 V, 33 mΩ 半桥模块采用了第一代增强型CoolSiC™ MOSFET 、集成式NTC 温度传感器、预涂热界面材料和 PressFIT 压接技术。


特征:FF17MR12W1M1HPB11

  • 12 毫米高的同类最佳封装

  • 将领先宽禁带材料与 Easy 模块封装相结合

  • 模块杂散电感极低

  • 较宽的反偏安全工作区 (RBSOA)

  • 采用第一代增强型沟槽技术的1200 V CoolSiC™ MOSFET 

  • 建议栅极驱动电压窗口增大:从 +15 扩展至 +18 V,从 0 V 扩展至 -5 V

  • 扩展的最大栅-源电压:+23 V 和 -10 V

  • 过载条件下工作结温 Tvjop 高达 175°C 

  • PressFIT 引脚

  • 集成 NTC 温度传感器

  • 热界面材料


规格:FF17MR12W1M1HPB11

  • 系列: CoolSiC™  

  • 包装: 托盘  

  • 零件状态: 在售  

  • 技术: 碳化硅(SiC)  

  • 漏源电压(Vdss): 1200V(1.2kV)  

  • 安装类型: 底座安装  

  • 封装/外壳: 模块  

  • 供应商器件封装: AG-EASY1B 


应用

  • 高频开关应用

  • DC/DC 变换器

  • UPS 系统

  • 电动车直流充电


图表

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