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DC 至 6 GHz,QPD1035 GaN射频功率晶体管 - Qorvo

DC 至 6 GHz,QPD1035 GaN射频功率晶体管 - Qorvo

来源:本站时间:2024-10-28浏览数:

产品描述:Qorvo QPD1035 GaN射频功率晶体管是40W分立式碳化硅基氮化镓HEMT,工作频率范围为直流至6GHz,工作采用50V电源。QPD1035晶体管具有输入预匹配,因此非常适合用于脉冲和连续波操作中的宽带放大器。这些器件不含铅,符合RoHS指令。主要特性:工作频率范围:DC至…

产品描述:

Qorvo  QPD1035 GaN射频功率晶体管是40W分立式碳化硅基氮化镓HEMT,工作频率范围为直流至6GHz,工作采用50V电源。


QPD1035晶体管具有输入预匹配,因此非常适合用于脉冲和连续波操作中的宽带放大器。这些器件不含铅,符合RoHS指令。


主要特性:

工作频率范围:DC至6GHz

工作电压:50V

输出功率 (P3dB) = 50W

漏极效率 (P3dB) = 52.2%

线性增益 = 15.1dB

低热阻封装


封装图

封装.png

QPD1035的应用:

军用雷达

民用雷达

专业无线电和军用无线电通信

测试仪器

宽带或窄带放大器

干扰发射机


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