ISSI 的闪存器件非常适合需要高可靠性的性能导向应用。ISSI 的 IS34ML 和 IS34MW 系列 NAND产品为嵌入式市场补充了串行和并行NOR产品。ML (3.0 V) 系列和 MW (1.8 V) 系列 SLC NAND器件的密度分别为1Gb、2Gb和4Gb。SLC NAND闪存器件非常适合需要高可靠性的性能导向应用。…
ISSI 的闪存器件非常适合需要高可靠性的性能导向应用。
ISSI 的 IS34ML 和 IS34MW 系列 NAND产品为嵌入式市场补充了串行和并行NOR产品。ML (3.0 V) 系列和 MW (1.8 V) 系列 SLC NAND器件的密度分别为1Gb、2Gb和4Gb。
SLC NAND闪存器件非常适合需要高可靠性的性能导向应用。SLC 每个存储单元存储 1 位数据，并提供快速读写功能。这些产品适用于要求 1 位或 4 位 ECC 算法的系统，并提供 100 K 周期的耐久性和 10 年的保留期。
类型:：NAND Flash
封装/箱体:：VFBGA-63
存储容量:：4 Gbit
接口类型:：Parallel
组织:：512 M x 8/256 M x 16
定时类型:：Asynchronous
数据总线宽度:：8 bit, 16 bit
电源电压:：2.7 V 至 3.6 V
电源电流—最大值:：30 mA
工作温度:：- 40°C 至 + 85°C
有源读取电流（最大值）:：30 mA
特性：
供电电压：
VCC: 2.7 V 至 3.6 V（IS34ML 系列）
VCC: 1.7 V 至 1.95 V（IS34MW 系列）
灵活的 x8 或 x16 选择
均匀的高性价比块
块擦除时间：3 ms（典型值）
自动读操作
硬件数据保护
100 K 编程/擦除周期
数据保持时间：10 年
支持每 512 字节 1 位或 4 位 ECC
工业温度范围：-40°C 至 +85°C
扩展温度范围：-40°C 至 105°C
行业标准封装：48 引脚 TSOP 和 63 引脚 (9 mm x 11 mm BGA)
相关产品：
IS34ML04G088-TLI
IS34ML04G088-BLI
IS34ML04G168-BLI
应用：
汽车信息娱乐
仪表组
ADAS
工业仪表
工业传感器
M2M
POS 终端
智能计量
游戏机
打印机
数码相机
数字电视
机顶盒
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