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年份:21+
封装:QFN
产品属性
制造商: onsemi
产品种类: MOSFET
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SO-8FL-4
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 30 V
Id-连续漏极电流: 78 A
Rds On-漏源导通电阻: 2.8 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.3 V
Qg-栅极电荷: 30 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 6.6 W
通道模式: Enhancement
配置: Single
产品类型: MOSFET
系列: NTMFS4C024N
工厂包装数量: 1500
子类别: MOSFETs
单位重量: 750 mg
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