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(资料)DRV8300UDIPWR:100V 三相 BLDC 栅极驱动器

(资料)DRV8300UDIPWR:100V 三相 BLDC 栅极驱动器

来源:本站时间:2024-08-21浏览数:

概述:DRV8300UDIPWR 是一款 100V 三相半桥栅极驱动器,能够驱动高侧和低侧 N 沟道功率 MOSFET。DRV8300UD 使用集成自举二极管和外部电容为高侧 MOSFET 生成合适的栅极驱动电压。GVDD 用于为低侧 MOSFET 生成栅极驱动电压。栅极驱动架构支持高达 750mA 的峰值拉电流和 1.…

概述:

DRV8300UDIPWR 是一款 100V 三相半桥栅极驱动器,能够驱动高侧和低侧 N 沟道功率 MOSFET。DRV8300UD 使用集成自举二极管和外部电容为高侧 MOSFET 生成合适的栅极驱动电压。GVDD 用于为低侧 MOSFET 生成栅极驱动电压。栅极驱动架构支持高达 750mA 的峰值拉电流和 1.5A 的灌电流。


相位引脚 SHx 能够承受显著的负电压瞬变;而高侧栅极驱动器电源 BSTx 和 GHx 能够支持更高的正电压瞬变 (125V) 绝对最大值,从而提高系统的鲁棒性。较小的传播延迟和延迟匹配参数可尽可能降低死区时间要求,从而进一步提高效率。通过 GVDD 和 BST 欠压锁定为低侧和高侧提供欠压保护。


简化示意图.png

特性

• 100V 三相半桥栅极驱动器

– 驱动 N 沟道 MOSFET (NMOS)

– 栅极驱动器电源 (GVDD):5-20V

– MOSFET 电源 (SHx) 支持高达 100V 的电压

• 集成自举二极管 (DRV8300UD 器件)

• 支持反相和同相 INLx 输入

• 自举栅极驱动架构

– 750mA 拉电流

– 1.5A 灌电流

• 支持由高达 15 节串联电池供电的应用

• 支持标准 MOSFET 的更高 BSTUV(8V 典型值)和 GVDDUV(7.6V 典型值)阈值

• SHx 引脚具有低漏电流(小于 55µA)

• 绝对最大 BSTx 电压高达 125V

• SHx 引脚瞬态负压可达 -22V

• 内置跨导保护

• 针对 QFN 封装型号,可通过 DT 引脚调节死区时间

• 针对 TSSOP 封装型号,固定插入 200ns 死区时间

• 支持 3.3V 和 5V 逻辑输入(绝对最大值为 20V)

• 4ns 典型传播延迟匹配

• 紧凑型 QFN 和 TSSOP 封装

• 具有电源块的高效系统设计

• 集成保护特性

– BST 欠压锁定 (BSTUV)

– GVDD 欠压 (GVDDUV)


应用

• 电动自行车、电动踏板车和电动汽车

• 风扇、泵和伺服驱动器

• 无刷直流 (BLDC) 电机模块和 PMSM

• 无线园艺和电动工具、割草机

• 无线真空吸尘器

• 无人机、机器人和遥控玩具

• 工业和物流机器人


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