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集成电路（IC）

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滤波器

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分立半导体

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电源管理

氮化镓 (GaN) IC 线性稳压器LDO AC-DC控制器和稳压器 DC-DC电源产品 电压基准 电池管理 以太网供电（PoE）控制器

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面向LTE和脉冲雷达应用的 CGHV27060MP GaN HEMT – 氮化镓晶体管

面向LTE和脉冲雷达应用的 CGHV27060MP GaN HEMT – 氮化镓晶体管

来源：本站时间：2024-08-07浏览数：

概述CGHV27060MP是一款60 W氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT ),采用小型封装；塑料SMT封装4.4毫米x 6.5毫米。晶体管是一种宽带器件，没有内部输入或输出匹配；这使得灵活性适用于从UHF到2.7 GHz的广泛频率范围。CGHV27060MP是超高频脉冲应用的优秀晶体管；l波段或低S波…

概述

CGHV27060MP是一款60 W氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT ),采用小型封装；塑料SMT封装4.4毫米x 6.5毫米。晶体管是一种宽带器件，没有内部输入或输出匹配；这使得灵活性适用于从UHF到2.7 GHz的广泛频率范围。

产品封装.png

CGHV27060MP是超高频脉冲应用的优秀晶体管；l波段或低S波段(< 2.7 GHz)。另外；该晶体管非常适合于A/B类等高效拓扑中平均功率为10至15w的LTE微型基站放大器；多赫蒂放大器。数据手册中描述的CGHV27060MP典型性能源自2.5至2.7 GHz的A/B类参考设计。


CGHV27060MP规格

技术：HEMT

频率：2.7GHz

增益：16.5dB

电压 - 测试：50 V

额定电流（安培）：6.3A

噪声系数：-

电流 - 测试：125 mA

功率 - 输出：80W

电压 - 额定：150 V

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：20-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）

供应商器件封装：20-TSSOP


特性

从超高频到2.7GHz

脉冲PSAT下16.5 dB增益

脉冲PSAT下的效率为70%

脉冲PSAT时为85 W

线性PAVE = 14 W时的18 dB增益

线性铺设= 14 W时-35 dBc ACLR

线性铺设时效率为33% = 14w

可以应用高度DPD校正


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