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英飞凌第四代沟槽栅/场终止 IGBT FF600R12ME4B72 1200 V 600 A 双 IGBT模块

英飞凌第四代沟槽栅/场终止 IGBT FF600R12ME4B72 1200 V 600 A 双 IGBT模块

来源:本站时间:2024-07-22浏览数:

深圳市明佳达电子有限公司出售英飞凌 FF600R12ME4B72 EconoDUAL™ 3 1200 V, 600 A 双 IGBT 模块具有第四代沟槽栅/场终止 IGBT、发射极控制二极管和 NTC 温度检测。特征描述(FF600R12ME4B72)低 VCEsatTvj op = 150C具有正温度系数的VCEsat高功率密度绝缘基板标准外壳优…

深圳市明佳达电子有限公司出售英飞凌 FF600R12ME4B72 EconoDUAL™ 3  1200 V, 600 A 双 IGBT 模块具有第四代沟槽栅/场终止 IGBT、发射极控制二极管和 NTC 温度检测。


特征描述(FF600R12ME4B72

低 VCEsat

Tvj op = 150°C

具有正温度系数的VCEsat

高功率密度

绝缘基板

标准外壳


优势(FF600R12ME4B72

紧凑型模块

组装简单、可靠

无需插头和电缆

低感应系统设计的理想选择


潜在应用(FF600R12ME4B72

电机控制和驱动

太阳能系统解决方案

不间断电源(UPS)

工业加热和焊接


应用领域(FF600R12ME4B72

储能系统

风能系统

高压直流(HVDC)

集中式逆变器解决方案


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