概述:NVMYS9D3N06CLTWG功率MOSFET是一款60V、9.2mΩ单N沟道MOSFET,采用紧凑高效的设计,具有较高的散热性能。该MOSFET具有低RDS(ON),可最大限度地降低导通损耗,另外还具有低栅极电荷(QG)和电容,可最大限度地降低驱动器损耗。NVMYS9D3N06CL功率MOSFET符合AEC-Q101标…
概述:
NVMYS9D3N06CLTWG功率MOSFET是一款60V、9.2mΩ单N沟道MOSFET,采用紧凑高效的设计,具有较高的散热性能。该MOSFET具有低RDS(ON),可最大限度地降低导通损耗,另外还具有低栅极电荷(QG)和电容,可最大限度地降低驱动器损耗。NVMYS9D3N06CL功率MOSFET符合AEC-Q101标准,具有PPAP功能。该MOSFET适合用于电池反向保护、电源开关、开关电源以及其他需要增强板级可靠性的汽车应用。
主要特性:
占位面积小 (5mm x 6mm),设计紧凑
低RDS(ON),可最大限度地降低导通损耗
QG 和电容较小,可使驱动器损耗最小化
漏极-源极电压(VDSS):60V
连续漏极电流(ID):50A(TC = 25°C时)
漏极-源极导通电阻(RDS(on)):9.2mΩ
行业标准LFPAK4封装
符合AEC-Q101标准并具有PPAP功能
无铅,符合RoHS指令
应用
反向电池保护
电源开关(如高侧驱动器、低侧驱动器和半桥)
电磁驱动器
电机控制
负载开关
开关电源
封装尺寸
电话咨询:86-755-83294757
企业QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/ 2850151585
服务时间:9:00-18:00
联系邮箱:chen13410018555@163.com/sales@hkmjd.com
公司地址:广东省深圳市福田区振中路新亚洲国利大厦1239-1241室
CopyRight©2022 版权归明佳达电子公司所有 粤ICP备05062024号-12
官方二维码
友情链接: