概述：NVMYS9D3N06CLTWG功率MOSFET是一款60V、9.2mΩ单N沟道MOSFET，采用紧凑高效的设计，具有较高的散热性能。该MOSFET具有低RDS(ON)，可最大限度地降低导通损耗，另外还具有低栅极电荷（QG）和电容，可最大限度地降低驱动器损耗。NVMYS9D3N06CL功率MOSFET符合AEC-Q101标…
概述：
NVMYS9D3N06CLTWG功率MOSFET是一款60V、9.2mΩ单N沟道MOSFET，采用紧凑高效的设计，具有较高的散热性能。该MOSFET具有低RDS(ON)，可最大限度地降低导通损耗，另外还具有低栅极电荷（QG）和电容，可最大限度地降低驱动器损耗。NVMYS9D3N06CL功率MOSFET符合AEC-Q101标准，具有PPAP功能。该MOSFET适合用于电池反向保护、电源开关、开关电源以及其他需要增强板级可靠性的汽车应用。
主要特性：
占位面积小 (5mm x 6mm)，设计紧凑
低RDS(ON)，可最大限度地降低导通损耗
QG 和电容较小，可使驱动器损耗最小化
漏极-源极电压（VDSS）：60V
连续漏极电流（ID）：50A（TC = 25°C时）
漏极-源极导通电阻（RDS(on)）：9.2mΩ
行业标准LFPAK4封装
符合AEC-Q101标准并具有PPAP功能
无铅，符合RoHS指令
应用
反向电池保护
电源开关（如高侧驱动器、低侧驱动器和半桥）
电磁驱动器
电机控制
负载开关
开关电源
封装尺寸
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