深圳市明佳达电子有限公司【供应碳化硅MOSFET】进口原装 C3M0016120D 1.2kV 15mOHMS G3 SiC MOSFET 通孔 N 通道 1200 V 115A（Tc） 556W（Tc） TO-247-3产品描述：Wolfspeed SiC C3M MOSFET 能够实现更高的开关频率，减小电感器、电容器、滤波器和变压器的器件尺寸。 SiC…
深圳市明佳达电子有限公司【供应碳化硅MOSFET】进口原装 C3M0016120D 1.2kV 15mOHMS G3 SiC MOSFET 通孔 N 通道 1200 V 115A（Tc） 556W（Tc） TO-247-3
产品描述：
Wolfspeed SiC C3M MOSFET 能够实现更高的开关频率，减小电感器、电容器、滤波器和变压器的器件尺寸。 SiC C3M MOSFET具有更高的系统效率和较低的冷却需求。 MOSFET还可增加功率密度和系统转换频率。
C3M0016120D一款碳化硅功率 MOSFET C3MTM MOSFET 技术 N 沟道增强模式。
产品规格：
制造商:Wolfspeed
产品种类: 碳化硅MOSFET
通道模式: Enhancement
配置: Single
下降时间: 27 ns
正向跨导 - 最小值: 53 S
Id-连续漏极电流: 115 A
最大工作温度: + 175 C
最小工作温度: - 40 C
安装风格: Through Hole
通道数量: 1 Channel
封装 / 箱体: TO-247-3
Pd-功率耗散: 556 W
产品类型: SiC MOSFETS
Qg-栅极电荷: 207 nC
Rds On-漏源导通电阻: 22.3 mOhms
上升时间: 28 ns
工厂包装数量: 30
子类别: Transistors
技术: SiC
晶体管极性: N-Channel
典型关闭延迟时间: 84 ns
典型接通延迟时间: 174 ns
Vds-漏源极击穿电压: 1.2 kV
Vgs - 栅极-源极电压: - 8 V, + 19 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.8 V
单位重量:6 g
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