深圳市明佳达电子有限公司长期回收安森美半导体碳化硅模块 NXH007F120M3F2PTHG EliteSiC,7 欧姆 SiC M3S MOSFET,1200 V,4 封装全桥拓扑结构,F2 封装介绍NXH007P120M3F2PTHG是一款电源模块,采用 F2 封装,包含 7 mohm / 1200 V SiC MOSFET 全桥和带 HPS DBC 的热敏电…
深圳市明佳达电子有限公司长期回收安森美半导体碳化硅模块 NXH007F120M3F2PTHG EliteSiC,7 欧姆 SiC M3S MOSFET,1200 V,4 封装全桥拓扑结构,F2 封装
介绍
NXH007P120M3F2PTHG是一款电源模块,采用 F2 封装,包含 7 mohm / 1200 V SiC MOSFET 全桥和带 HPS DBC 的热敏电阻。SiC MOSFET 开关采用 M3S 技术,由 18V-20V 栅极驱动。
特性
出色的 FOM [ = Rdson * Eoss ]
15V 至 18V 栅极驱动
7 欧姆 / 1200 V M3S SiC MOSFET 全桥
应用
直流-交流转换
直流-直流转换
AC-DC 转换
NXH007F120M3F2PTHG 原理图
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