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安森美碳化硅模块 NXH007F120M3F2PTHG EliteSiC,7 欧姆 SiC M3S MOSFET,1200 V

安森美碳化硅模块 NXH007F120M3F2PTHG EliteSiC,7 欧姆 SiC M3S MOSFET,1200 V

来源:本站时间:2024-07-13浏览数:

深圳市明佳达电子有限公司长期回收安森美半导体碳化硅模块 NXH007F120M3F2PTHG EliteSiC,7 欧姆 SiC M3S MOSFET,1200 V,4 封装全桥拓扑结构,F2 封装介绍NXH007P120M3F2PTHG是一款电源模块,采用 F2 封装,包含 7 mohm / 1200 V SiC MOSFET 全桥和带 HPS DBC 的热敏电…

深圳市明佳达电子有限公司长期回收安森美半导体碳化硅模块 NXH007F120M3F2PTHG EliteSiC,7 欧姆 SiC M3S MOSFET,1200 V,4 封装全桥拓扑结构,F2 封装


介绍

NXH007P120M3F2PTHG是一款电源模块,采用 F2 封装,包含 7 mohm / 1200 V SiC MOSFET 全桥和带 HPS DBC 的热敏电阻。SiC MOSFET 开关采用 M3S 技术,由 18V-20V 栅极驱动。


特性

出色的 FOM [ = Rdson * Eoss ]

15V 至 18V 栅极驱动

7 欧姆 / 1200 V M3S SiC MOSFET 全桥


应用

直流-交流转换

直流-直流转换

AC-DC 转换


NXH007F120M3F2PTHG 原理图

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