STGAP2SICSNTR用于SiC mosfet的单栅电隔离驱动器的技术资料

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STGAP2SICSNTR用于SiC mosfet的单栅电隔离驱动器的技术资料

来源：本站时间：2024-07-02浏览数：

产品说明：STGAP2SICSN单栅极驱动器在栅极驱动通道、低压控制和接口电路之间提供电流隔离。STGAP2SICSN具有4A能力和轨到轨输出，适用于中等功率和大功率应用，如工业应用中的电源转换和电机驱动器逆变器。该栅极驱动器有两种不同配置可选。STGAP2SICSN 4A单通道栅极驱动器…

STGAP2SICSNTR——用于SiC MOSFETs的电流隔离4 A单栅极驱动器

产品说明：

STGAP2SICSN单栅极驱动器在栅极驱动通道、低压控制和接口电路之间提供电流隔离。STGAP2SICSN具有4A能力和轨到轨输出，适用于中等功率和大功率应用，如工业应用中的电源转换和电机驱动器逆变器。该栅极驱动器有两种不同配置可选。

STGAP2SICSN 4A单通道栅极驱动器有两种不同配置可选。第一种配置提供独立的输出引脚，允许使用专用栅极电阻器进行独立的导通和关断优化。第二配置具有单输出引脚和米勒钳位功能，可防止半桥拓扑中快速换向时的栅极尖峰。两种格式均可为外部元件提供较高的灵活性和较少的物料清单。

STGAP2SICSN集成了保护功能，包括针对SiC MOSFET优化值的UVLO和热关断，从而可高效设计高可靠性系统。通过双输入引脚选择控制信号极性，可以实施硬件互锁保护，可在控制器发生故障时避免交叉传导。输入至输出传播延迟结果包含在75ns以内，可提供较高的PWM控制精度。可提供待机模式，降低空闲功耗。

特性

高达1700V高压轨

驱动器电流能力：4A拉电流/灌电流（25°C时）

dV/dt瞬变抗扰性：±100V/ns，全温度范围内

整体输入-输出传播延迟：75ns

独立的拉电流和灌电流选项，可简化栅极驱动配置

4A米勒钳位专用引脚选项

UVLO功能

栅极驱动电压高达26V

3.3V、5V TTL/CMOS输入，带迟滞

高温关断保护

待机功能