今日，英飞凌推出N 沟道 OptiMOS™ 功率 MOSFET—IPB038N12N3G 是领先的功率 MOSFET，可提供最高功率密度和高能效解决方案。超低的栅极和输出电荷，以及小尺寸封装中最低的导通电阻，使其成为满足服务器、数据通信和电信应用中稳压器解决方案苛刻要求的理想选择。超快开关…
今日，英飞凌推出N 沟道 OptiMOS™ 功率 MOSFET—IPB038N12N3G 是领先的功率 MOSFET，可提供最高功率密度和高能效解决方案。超低的栅极和输出电荷，以及小尺寸封装中最低的导通电阻，使其成为满足服务器、数据通信和电信应用中稳压器解决方案苛刻要求的理想选择。超快开关控制 FET 和低 EMI 同步 FET 可提供易于设计的解决方案。英飞凌 N 沟道 OptiMOS™ 功率 MOSFET 可提供出色的栅极电荷，并针对 DC-DC 转换进行了优化。
介绍
120V OptiMOS™ 系列提供业内最低导通电阻和最快开关性能，适用于各种应用，支持实现卓越性能。120V OptiMOS™ 技术带来全新可能性，帮助实现优化解决方案。
特征描述
优异的开关性能
世界较低的 (R Ds(on))
极低的 Qg 和 Qgd
出色的栅极电荷 x R DS（on）产品（FOM）
符合 RoHS - 无卤素
MSL1 评级 2
规格
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: D2PAK-3 (TO-263-3)
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 120 V
Id-连续漏极电流: 120 A
Rds On-漏源导通电阻: 3.2 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V
Qg-栅极电荷: 211 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 300 W
通道模式: Enhancement
商标名: OptiMOS
系列: OptiMOS 3
配置: Single
下降时间: 21 ns
正向跨导 - 最小值: 83 S
高度: 4.4 mm
长度: 10 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 52 ns
工厂包装数量: 1000
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 70 ns
典型接通延迟时间: 35 ns
宽度: 9.25 mm
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