NCD57001FDWR2G：隔离式高电流SiC/MOSFET/IGBT栅极驱动器概述NCD57001FDWR2G是一款高电流单通道SiC/MOSFET/IGBT驱动器，具有内部电流隔离功能，设计用于提高系统效率和可靠性。该栅极驱动器具有互补输入、开漏故障和就绪输出、有源米勒钳位、精确欠压闭锁 (UVLO)、去饱和…
NCD57001FDWR2G：隔离式高电流SiC/MOSFET/IGBT栅极驱动器
概述
NCD57001FDWR2G是一款高电流单通道SiC/MOSFET/IGBT驱动器，具有内部电流隔离功能，设计用于提高系统效率和可靠性。该栅极驱动器具有互补输入、开漏故障和就绪输出、有源米勒钳位、精确欠压闭锁 (UVLO)、去饱和 (DESAT) 保护以及去饱和 (DESAT) 时软关断等特性。安森美半导体NCD57001FDWR2G栅极驱动器可在输入侧提供5V和3.3V信号，在驱动器侧提供较宽的偏置电压范围，包括负电压能力。该栅极驱动器具有5kVrms（符合UL1577标准）电流隔离和1200Viorm（工作电压）功能。典型应用包括太阳能逆变器、电机控制、不间断电源 (UPS)、工业电源和焊接。
特性
在IGBT米勒平台电压下具有+4/-6A大电流输出
低输出阻抗，用于增强型IGBT驱动
传播延迟时间短，具有精确匹配
有源米勒钳位，防止杂散栅极导通
DESAT保护，带可编程延迟
针对DESAT的负电压（低至-9 V）能力
IGBT短路期间的软关断
短路期间的IGBT栅极钳位
IGBT栅极有源下拉
UVLO阈值小，实现偏置灵活性
宽偏置电压范围，包括负VEE2
输入电源电压范围：3.3V至5V
设计用于符合AEC-Q100标准
5000V电流隔离（以满足UL1577要求）
1200V工作电压（符合VDE0884-10要求）
高瞬态抗扰度
高电磁抗扰度
无铅、无卤，符合RoHS指令
应用
太阳能逆变器
电机控制
UPS
工业电源
焊接
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