DMWS120H100SM4 1200V N沟道碳化硅功率MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能。
概述：
DMWS120H100SM4 1200V N沟道碳化硅(SiC)功率MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能。它可以在工业电机驱动器、光伏能源系统、直流-直流转换器，以及数据中心和电信电源中实现高密度和高效率。该器件的低导通电阻，加上52nC 15V栅极驱动时的总栅极电荷(Qg)，使系统设计人员能够最大限度地提高效率，同时确保最大限度地降低耗散功率。TO247-4封装在连接到源极的第四条引线中包含一个额外的开尔文温度检测引脚，提供了优化开关性能的能力。DMWS120H100SM4符合AEC-Q101标准，在通过IATF 16949认证的工厂中制造，额定结温(TJ)为+150° C。
特性
低导通电阻
高BVDSS 额定值，适用于电源应用
低输入电容
无铅表面处理；符合RoHS指令
无卤无锑，绿色器件
规格
封装类型为TO247-4
封装材料为模压塑料，绿色模复合材料
UL可燃性等级：94V-0
端子雾锡表面处理，通过铜引线框架退火
可根据MIL-STD-202方法208进行焊接
重量：6.6克（近似值）
应用
数据中心和电信电源
工业电机驱动器
直流-直流转换器
太阳能逆变器
电动汽车电池充电器
引脚图
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