瑞萨电子宣布,推出新一代Si-IGBT(硅基绝缘栅双极晶体管)器件——该产品可以更小的尺寸带来更低的功率损耗,将应用在电动汽车逆变器上。
9月1日讯,瑞萨电子宣布,推出新一代Si-IGBT(硅基绝缘栅双极晶体管)器件——该产品可以更小的尺寸带来更低的功率损耗,将应用在电动汽车逆变器上,该产品将于2023年上半年在瑞萨位于日本那珂工厂的200mm和300mm晶圆线上开始批量生产,是瑞萨首款使用300mm晶圆量产的IGBT 产品。
此外,瑞萨将从2024年上半年开始在其位于日本甲府的新功率半导体器件300mm晶圆厂加大生产该产品,以满足市场对功率半导体产品日益增长的需求。
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