东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出三款650V碳化硅（SiC）MOSFET——“TW027U65C”、“TW048U65C”和“TW083U65C”。这三款产品配备其最新第3代SiC MOSFET芯片，并采用表面贴装TOLL封装，适用于开关电源、光伏发电机功率调节器等工业设备。三款器…
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出三款650V碳化硅（SiC）MOSFET——“TW027U65C”、“TW048U65C”和“TW083U65C”。这三款产品配备其最新第3代SiC MOSFET芯片，并采用表面贴装TOLL封装，适用于开关电源、光伏发电机功率调节器等工业设备。三款器件于今日开始支持批量出货。
三款新产品是东芝第3代SiC MOSFET，采用通用表面贴装TOLL封装，与TO-247和TO-247-4L(X)等通孔封装相比，可将器件体积锐减80%以上，并提升设备功率密度。
此外，TOLL封装还具有比通孔封装更小的寄生阻抗，从而降低开关损耗。作为一款4引脚封装，支持对其栅极驱动的信号源端子进行开尔文连接。这减少封装内部源极线电感的影响，实现高速开关性能；在TW048U65C的外壳中，与东芝现有产品]相比，其开通损耗降低约55%，关断损耗降低约25%，有助于降低设备功耗。
未来东芝将继续扩大其SiC功率器件产品线，为提高设备效率和增加功率容量做出贡献。
应用：
-服务器、数据中心、通信设备等中的开关电源
-电动汽车充电站
-光伏逆变器
-不间断电源
特性：
-表面贴装TOLL封装，实现设备小型化和自动化组装，低开关损耗
-东芝第3代SiC MOSFET
·通过优化漂移电阻与沟道电阻比，实现漏源导通电阻的良好温度依赖性
·低漏源导通电阻×栅漏电荷
·低二极管正向电压：VDSF＝–1.35V（典型值）（VGS＝–5V）
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