东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出新款功率器件——第三代碳化硅（SiC）MOSFET “TWxxNxxxC系列”。该系列具有低导通电阻，可显著降低开关损耗。
8月31日消息，东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出新款功率器件——第三代碳化硅（SiC）MOSFET “TWxxNxxxC系列”。该系列具有低导通电阻，可显著降低开关损耗。该系列10款产品包括5款1200V产品和5款650V产品，已于今日开始出货。
新产品的单位面积导通电阻（RDS(ON)A）下降了大约43%，从而使“漏源导通电阻栅漏电荷（RDS(ON)Qgd）”降低了大约80%，这是体现导通损耗与开关损耗间关系的重要指标。这样可以将开关损耗减少大约20%，同时降低导通电阻和开关损耗。因此，新产品有助于提高设备效率。
东芝表示，未来这种 " 外延设备 + 外延片 + 器件 " 的 IDM 模式，有利于他们抢占铁路、海上风力发电、数据中心以及车载等市场。
公司首页：www.hkmjd.com
电话咨询：86-755-83294757
企业QQ：1668527835/ 2850151598/ 2850151584/ 2850151585
服务时间：9:00-18:00
联系邮箱：chen13410018555@163.com/sales@hkmjd.com
公司地址：广东省深圳市福田区振中路新亚洲国利大厦1239-1241室
CopyRight©2022 版权归明佳达电子公司所有 粤ICP备05062024号-12
官方二维码
友情链接:
最新资讯
