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明佳达电子供求集成电路 LMG3411R150RWHR LMG3411R150 氮化镓 (GaN) IC
具有集成驱动器和保护功能的 LMG341xR150 GaN FET 使设计人员能够在电力电子系统中实现更高水平的功率密度和效率。与硅 MOSFET 相比，该器件的固有优势包括超低输入和输出电容、零反向恢复以将开关损耗降低多达 80%，以及低开关节点振铃以降低 EMI。这些优势支持密集且高效的拓扑，例如图腾柱 PFC。
LMG341xR150 通过集成一组独特的功能来简化设计、最大限度地提高可靠性并优化任何电源的性能，为传统的共源共栅 GaN 和独立 GaN FET 提供了一种智能替代方案。集成式栅极驱动可实现 100 V/ns 开关，V DS振铃接近于零，小于 100 ns 的限流响应可自我保护以防止意外击穿事件，过热关断可防止热失控，系统接口信号提供自我监控能力。
供应型号：LMG3411R150RWHR
批号：最新21+
封装：VQFN32
描述 ：具有集成驱动器和逐周期过流保护的 600V 150mΩ GaN
属性：
开关类型：负载开关
输出数：1
比率 - 输入:输出1：1
输出配置：高端
输出类型：N 通道
接口：逻辑，PWM
电压 - 负载：480V（最大）
电压 - 供电 (Vcc/Vdd)：9.5V ~ 18V
电流 - 输出（最大值）：6A
导通电阻（典型值）：150 毫欧
输入类型：非反相
特性：自举电路，5V 稳压输出
故障：保护过流，超温，UVLO
工作温度：-40°C ~ 125°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
供应商器件封装：32-VQFN（8x8）
封装/外壳：32-VQFN 裸露焊盘
基本产品编号：LMG3411R150
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