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深圳市明佳达电子有限公司 供应 英飞凌 IKW25N120H3 高速 1200V 25A IGBT 晶体管，带反并联二极管

深圳市明佳达电子有限公司作为行业知名的电子元器件独立分销商，现货供应Infineon的IKW25N120H3高速1200V 25A IGBT晶体管。它采用了先进的TRENCHSTOP™技术，并集成了反并联二极管。

这款IKW25N120H3器件在开关损耗和导通损耗之间取得了优异的平衡，特别适用于高频硬开关应用，成为工业电机驱动、不间断电源（UPS）、焊接设备和太阳能逆变器等应用的理想选择。

【IKW25N120H3产品概述】

IKW25N120H3是英飞凌第四代高速TRENCHSTOP™ IGBT技术的代表性产品。它采用TO-247-3封装，集成了一个1200V、25A的IGBT和一个高速反并联二极管。

这种设计减少了外部元件的需要，提高了系统集成度与可靠性。

该IKW25N120H3器件最大的技术亮点在于其优化的开关特性。它采用了场截止（Field Stop）沟槽技术，不仅实现了较低的饱和压降（Vce(sat)），还显著降低了开关损耗，使其能够在高达70kHz的频率下高效工作。

【IKW25N120H3关键性能参数解析】

IKW25N120H3具备多项令人印象深刻的电气特性，这些参数直接决定了其在应用中的性能表现：

电压与电流规格：集电极-发射极电压（Vces） 高达1200V，连续集电极电流（Ic） 在25°C时可达50A，在100°C时则为25A，脉冲电流能力更高达100A。

导通特性：集电极-发射极饱和电压（Vce(sat)） 典型值为2.05V（在15V门极电压、25A集电极电流条件下测试）。这一低导通压降有助于降低导通状态下的功率损耗。

开关特性：开通延迟时间（td(on)） 仅为26ns，关断延迟时间（td(off)） 为277ns。如此快速的开关速度使其适用于高频应用，但也需要在驱动电路设计中考虑抑制电压过冲和电磁干扰。

开关损耗：开通能量（Eon） 为1.8mJ，关断能量（Eoff） 为0.85mJ（硬开关条件下）。较低的开关损耗直接转化为更高的系统效率和更小的热管理需求。

集成二极管特性：内置反并联二极管的反向恢复时间（trr） 为290ns34，正向电压（VF） 为2.4V。这确保了在感性负载应用中具有续流能力。

热性能：器件最大功耗（Ptot） 为326W，工作结温范围为-40°C至+175°C。较宽的温度范围使其能够适应苛刻的工作环境。

【IKW25N120H3结构与封装特点】

IKW25N120H3采用标准的TO-247-3通孔封装（也称为PG-TO247-3），这种封装具有良好的机械强度和出色的热性能。

IKW25N120H3封装尺寸为：长度16.13mm，宽度5.21mm，高度21.1mm25。这种广泛使用的封装形式便于安装和散热处理，大多数标准散热器都与之兼容。

IKW25N120H3器件本身重量约为5.42克，封装材料符合RoHS和无铅标准，满足环保要求。封装内部采用了铜基板和优化的内部绑定线设计，确保良好的电流能力和热传导效率。

【IKW25N120H3技术特性与优势】

IKW25N120H3 IGBT晶体管集多项技术优势于一身：

高电压能力：1200V的集射极击穿电压，适用于高压应用环境

高电流处理：最大连续集电极电流达50A，脉冲电流可达100A

低损耗表现：结合低开关损耗和低导通损耗，提升系统效率

优异的热性能：工作结温范围-40°C至175°C，功率最大值达326W

快速开关特性：适合20kHz以上的高频开关拓扑

这些特性使得IKW25N120H3成为多种功率电子应用的理想选择。

【IKW25N120H3应用领域】

IKW25N120H3适用于多种功率电子应用，特别是那些需要高开关频率和高效率的场合：

工业电机驱动：在变频器和伺服驱动器中用作功率开关元件，其高开关频率支持高精度电机控制。

不间断电源（UPS）：特别适用于在线式UPS的逆变和整流部分，提高能源转换效率。

焊接设备：用于逆变焊接机器的功率转换部分，高频率允许使用更小的变压器。

太阳能逆变器：可用于组串型光伏逆变器的DC-AC转换阶段，高电压能力适合光伏组串的电压需求。

开关模式电源（SMPS）：特别适用于大功率通信电源和服务器电源的高频功率转换级。