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回收 TI MOSFET:N 沟道 MOSFET、P 沟道 MOSFET、电源模块

回收 TI MOSFET:N 沟道 MOSFET、P 沟道 MOSFET、电源模块

来源:本站时间:2025-07-31浏览数:

深圳市明佳达电子有限公司 回收 TI MOSFET:N 沟道 MOSFET、P 沟道 MOSFET、电源模块深圳市明佳达电子有限公司作为国内领先的电子元器件回收服务商,长期专注于电子元器件的回收业务,包括:集成电路、5G芯片、新能源集成电路、物联网集成电路、 蓝牙IC、车联网IC、汽车级…

深圳市明佳达电子有限公司 回收 TI MOSFET:N 沟道 MOSFET、P 沟道 MOSFET、电源模块


深圳市明佳达电子有限公司作为国内领先的电子元器件回收服务商,长期专注于电子元器件的回收业务,包括:集成电路、5G芯片、新能源集成电路、物联网集成电路、 蓝牙IC、车联网IC、汽车级IC、通信IC、人工智能IC、存储IC、传感器IC、微控制器IC、收发器IC、以太网IC、WiFi芯片、无线通信模块、连接器等。凭借专业的市场洞察力和庞大的销售网络,能够为客户提供最具竞争力的回收价格,致力于成为客户在电子元器件回收领域最值得信赖的合作伙伴。


回收具体流程:

1.您将积压的IC/模组库存进行简单分类,确定型号、品牌、生产日期、数量等.

2.请将库存清单通过传真或邮件方式发送到我们评估团队.

3.等待公司专业人士的采购报价,达成协议后双方商谈具体交易方式进行交付.

4.公司只回收正规渠道货源,如代理商、贸易商、终端工厂等,不接受不是正规渠道货源.


NexFET™ MOSFET 提供广泛的 N 沟道和 P 沟道功率模块以及离散电源解决方案。我们的高度集成 MOSFET 支持更高的效率、更长的电池寿命、更高的功率密度和更高的频率,以实现快速开关。这些优势为小型化设计提供了灵活性,并使设计工程师能够缩短产品上市时间。


N沟道MOSFET

N沟道MOSFET是T功率半导体产品线中的重要组成部分,具有低导通电阻、快速开关速度等优势。


TI N沟道MOSFET主要包括以下类型:

低压N沟道MOSFET(<100V):如CSD17313Q2、CSD18532Q5B等型号,适用于电源管理、LED驱动等消费电子领域。

中高压N沟道MOSFET(100V-600V):包括CSD19536Q5A、CSD19535KCS等型号,常用于工业电机驱动、开关电源等场景。

超高压N沟道MOSFET(>600V):主要应用于新能源发电、电动汽车充电桩等高功率领域。


这些N沟道MOSFET采用先进的工艺技术,如TI的NexFET™功率MOSFET技术,具有优化的栅极电荷(Qg)和低导通电阻(RDS(on))特性,能够显著提高系统效率。


P沟道MOSFET

P沟道MOSFET在电路设计中常用于简化电源管理架构,TI的P沟道产品以高性能和可靠性著称。


TI P沟道MOSFET包括:

标准P沟道MOSFET:如CSD25404Q3、CSD25402Q3等型号,适用于负载开关、电源路径管理等应用。

汽车级P沟道MOSFET:符合AEC-Q101认证的产品,如CSD25401Q3A等,适用于汽车电子系统。

小信号P沟道MOSFET:采用SOT-23等小型封装,用于便携式设备和空间受限的应用场景。


TI的P沟道MOSFET具有低栅极电荷和优化的体二极管特性,能够减少开关损耗,提高系统整体效率。


电源模块

电源模块集成了MOSFET、驱动电路和保护功能,适用于高功率密度和高效率要求的应用场景。


主要型号包括:

LMG3410R050:集成600V GaN FET与驱动电路,支持高效电源转换,适用于服务器电源、数据中心及工业电源系统。

LMG3522R030:650V GaN功率模块,具备过流保护与温度监测功能,广泛应用于电动汽车充电桩、太阳能逆变器等高功率场景。

传统硅基电源模块:包括各种DC-DC转换器、POL(Point-of-Load)模块等。


TI的电源模块采用了先进的封装技术和热管理设计,能够显著提高功率密度和系统可靠性。


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