明佳达电子全新原装供应NOR闪存 S70GL02GS11FHI010 FLASH - NOR 存储器 IC 2Gb 并联 110 ns 64-FBGAS70GL02GS 2-Gb MIRRORBIT™ 闪存器件采用 65 纳米 MIRRORBIT™ 工艺技术制造。该器件的快速页面访问时间为 25 ns，相应的随机访问时间为 110 ns。它具有一个写缓冲器，允…
明佳达电子全新原装供应NOR闪存 S70GL02GS11FHI010 FLASH - NOR 存储器 IC 2Gb 并联 110 ns 64-FBGA
S70GL02GS 2-Gb MIRRORBIT™ 闪存器件采用 65 纳米 MIRRORBIT™ 工艺技术制造。该器件的快速页面访问时间为 25 ns，相应的随机访问时间为 110 ns。它具有一个写缓冲器，允许在一次操作中最多编程 256 个字/512 个字节
参数：S70GL02GS11FHI010
密度： 2048 MBit
系列： GL-S
初始访问时间： 110 ns
接口频率（SDR/DDR）（MHz）： NA
接口： 并行
引线球表面处理： 锡/银/铜
最低和最高工作温度： -40 °C 85 °C
最低和最高工作电压： 3 V 2.7 V 3.6 V
页面访问时间： 20 ns
峰值回流焊温度： 260 °C
认证： 工业级
与众不同的特性：
• 具有多功能 I/O™ 的 3.0 V CMOS 内核
• 单个 64 球强化 BGA 封装中包含两个 1024 兆位 (S29GL01GS)
• 65 纳米 MIRRORBIT™ 工艺技术
• 用于读取/编程/擦除的单电源（VCC）（2.7 V 至 3.6 V）
• 多功能 I/O 功能
• 宽 I/O 电压 (VIO)： 1.65 V 至 VCC
- ×16 数据总线
• 16 字/32 字节页面读取缓冲区
• 512 字节编程缓冲区
- 以页面倍数编程，最大可达 512 字节
• 扇区擦除
- 统一 128-KB 扇区
- S70GL02GS: 248 个扇区
• 用于编程和擦除操作的暂停和恢复命令
• 状态寄存器、数据轮询和就绪/忙引脚方法可确定设备状态
• 高级扇区保护 (ASP)
- 每个扇区的易失性和非易失性保护方法
• 独立的 1024 位一次性编程 (OTP) 阵列，有两个可锁定区域
- 每个设备都有 支持通用闪存接口 (CFI)
• WP# 输入
- 保护每个设备的第一个或最后一个扇区，或第一个和最后一个扇区，与扇区保护设置无关
• 温度范围
- 工业温度范围（-40°C 至 +85°C）
• 每个扇区典型擦除次数为 100,000 次
• 典型数据保存期为 20 年
• 封装选项
- 64 球 LSH 加固 BGA，13 毫米 11 毫米
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