纳芯微推出车规级带米勒钳位功能的隔离半桥驱动 NSI6602MxEx 系列

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纳芯微推出车规级带米勒钳位功能的隔离半桥驱动 NSI6602MxEx 系列

来源：本站时间：2025-07-15浏览数：

纳芯微电子正式发布 NSI6602MxEx 系列车规级隔离半桥驱动芯片，该系列在经典产品 NSI6602 的基础上，创新性地集成了 5A 米勒钳位功能，并具备高隔离耐压、低延时、可编程死区时间等特性，专为 SiC（碳化硅）和 IGBT 等功率器件设计，适用于新能源汽车 OBC（车载充电机）、…

纳芯微电子正式发布 NSI6602MxEx 系列车规级隔离半桥驱动芯片，该系列在经典产品 NSI6602 的基础上，创新性地集成了 5A 米勒钳位功能，并具备高隔离耐压、低延时、可编程死区时间等特性，专为 SiC（碳化硅）和 IGBT 等功率器件设计，适用于新能源汽车 OBC（车载充电机）、DC/DC 转换器、主动悬架系统等高可靠性应用场景。

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NSI6602MxEx与NSI6602功能框图对比

5A米勒钳位功能助力半桥电路安全可靠

在实际应用中，OBC/DCDC、工业电源、电机驱动等桥式电路的功率器件容易发生串扰行为，尤其伴随着第三代功率器件如SiC和GaN的应用，门极阈值电压以及最大耐受负压双双减小，使得抑制寄生导通的电压裕量在不断减小。在使用传统半桥驱动芯片时，为了避免因米勒效应引发的桥臂直通，通常需要调整驱动电路。

然而，在很多情况下，即使精心调整了驱动参数、正负供电电压，以及优化PCB栅极寄生参数，也难以同时将正负串扰控制在安全余量以内。这不仅限制了碳化硅等器件性能的发挥，也可能带来潜在的安全隐患。

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开关过程中米勒效应原理

纳芯微推出NSI6602MxEx系列，为两路半桥驱动电路集成5A能力的米勒钳位功能，能够为米勒电流提供最小阻抗释放路径，有效抑制串扰电压的抬升。NSI6602MxEx在NSI6602基础上全副武装，为SiC等器件的安全应用保驾护航。

NSI6602MxEx米勒钳位方案应用分享

在使用SiC功率器件时，由于其高dv/dt特性，门极常常遭遇正负串扰电压(Vswing)幅度超出门极开启阈值(Vgsth)及负向耐压极限(Vgs_min)的情况。这种串扰容易导致误导通或器件损伤，是高性能驱动设计的一大挑战。

±10A输出电流助力外围电路精简设计

NSI6602MxEx提供超强驱动能力，最大可输出10A的拉灌电流，支持轨到轨输出。无论是直接驱动更大栅极电荷（Qg）的功率管，还是在多管并联的应用中，与传统方案相比，NSI6602MxEx无需额外添加缓冲器，即可实现高效驱动，有效简化外围电路设计。此外，32V最大工作电压，极限35V的最大耐压，可以应对更高的EOS冲击，搭配精简的驱动外围设计，大幅提高了整个电路系统的可靠性。

可编程死区及多档欠压阈值助力设计灵活配置

NSI6602MxEx支持通过DT引脚进行死区配置，通过调整下拉电阻可以灵活配置不同死区时间，此外还可以将DT引脚直接接到原边VCC用来两路驱动并行输出；搭配DIS/EN两种可选的使能逻辑，为终端应用提供丰富的控制逻辑；另外，副边电源欠压UVLO设有8V，12V，17V三种选择，适配于IGBT和SiC应用中多种电源设计场景的欠压保护。

NSI6602MxEx产品特性：

5700VRMS隔离耐压，可驱动高压SiC和IGBT

高CMTI：150 kV/μs

输入侧电源电压：3V ~ 18V

驱动侧电源电压：高达 32V

轨到轨输出

峰值拉灌电流：±10A

峰值米勒钳位电流：5A

驱动电源欠压：8V/12V/17V三档可选

可编程死区时间

可选的正反逻辑使能配置

典型传播延时：80ns