GaN+SiC混合设计！纳微全球首发97.8%超高效12kW AI服务器电源

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GaN+SiC混合设计！纳微全球首发97.8%超高效12kW AI服务器电源

来源：本站时间：2025-07-10浏览数：

随着AI算力需求爆发式增长，数据中心的供电系统正面临前所未有的挑战。2025年5月，纳微半导体宣布，推出专为超大规模AI数据中心设计的最新12kW量产电源参考设计，可以适配功率密度达120kW的高功率服务器机架。这款产品的特别之处，在于12kW电源遵循ORv3规范及开放计算项目…

随着AI算力需求爆发式增长，数据中心的供电系统正面临前所未有的挑战。2025年5月，纳微半导体宣布，推出专为超大规模AI数据中心设计的最新12kW量产电源参考设计，可以适配功率密度达120kW的高功率服务器机架。

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这款产品的特别之处，在于12kW电源遵循ORv3规范及开放计算项目（OCP）标准，采用第三代快速碳化硅MOSFET和新型IntelliWeave数字技术，以及配置于三相交错TP-PFC和FB-LLC拓扑结构中的高功率 GaNSafe氮化镓功率芯片，以极简元件布局实现最高效率与性能。

在关键的技术上，纳微12kW电源中采用的三相交错TP-PFC拓扑由采用“沟槽辅助平面栅”技术的第三代快速碳化硅MOSFET驱动。三相交错FB-LLC拓扑由纳微半导体的高功率旗舰——第四代GaNSafe氮化镓功率芯片驱动，其集成了控制、驱动、感测以及关键的保护功能，使其在高功率应用中具备了前所未有的可靠性和鲁棒性。

该电源的尺寸为790×73.5×40mm，输入电压范围180–305VAC，输出最高电压为50VDC。当输入电压高于207VAC时输出12kW功率，低于该阈值时输出10kW。其配备主动均流功能及过流、过压、欠压、过热保护机制，可在-5至45℃温度范围内正常运行，12kW负载下保持时间达20ms，浪涌电流为稳态电流3倍（持续时间<20ms），采用内部风扇散热。

NVIDIA推出的下一代800V HVDC架构，旨在为未来AI的计算负载提供高效、可扩展的电力传输能力，实现更高可靠性、更优效率并简化基础设施设计。英伟达在下一代800V HVDC架构采用纳微半导体的GaNFast氮化镓和GeneSiC碳化硅技术开发。

在二次侧DC-DC变换领域，纳微半导体推出80-120V的中压氮化镓功率器件，专为输出48V-54V的AI数据中心电源优化设计，可实现高速、高效、低占板面积的功率转换。

未来展望

纳微计划 2026年推出更高功率方案，并联合英伟达推进 800V HVDC架构，进一步优化AI数据中心的能源效率。

这款12kW电源的发布，标志着GaN+SiC混合设计正式成为下一代AI供电的核心技术，为全球算力基础设施提供高效、可靠的电力支持。

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