欢迎来到深圳市明佳达电子有限公司

chen13410018555@163.com/sales@hkmjd.com

topadv
深圳市明佳达电子有限公司

服务电话:86-755-83294757

产品分类

AI 处理器

电阻器网络

最新资讯
公司动态
行业资讯
首页 /行业资讯 /

GaN+SiC混合设计!纳微全球首发97.8%超高效12kW AI服务器电源

GaN+SiC混合设计!纳微全球首发97.8%超高效12kW AI服务器电源

来源:本站时间:2025-07-10浏览数:

随着AI算力需求爆发式增长,数据中心的供电系统正面临前所未有的挑战。2025年5月,纳微半导体宣布,推出专为超大规模AI数据中心设计的最新12kW量产电源参考设计,可以适配功率密度达120kW的高功率服务器机架。这款产品的特别之处,在于12kW电源遵循ORv3规范及开放计算项目…

随着AI算力需求爆发式增长,数据中心的供电系统正面临前所未有的挑战。2025年5月,纳微半导体宣布,推出专为超大规模AI数据中心设计的最新12kW量产电源参考设计,可以适配功率密度达120kW的高功率服务器机架。

QQ图片20250710110513.png

这款产品的特别之处,在于12kW电源遵循ORv3规范及开放计算项目(OCP)标准,采用第三代快速碳化硅MOSFET和新型IntelliWeave数字技术,以及配置于三相交错TP-PFC和FB-LLC拓扑结构中的高功率 GaNSafe氮化镓功率芯片,以极简元件布局实现最高效率与性能。


在关键的技术上,纳微12kW电源中采用的三相交错TP-PFC拓扑由采用“沟槽辅助平面栅”技术的第三代快速碳化硅MOSFET驱动。三相交错FB-LLC拓扑由纳微半导体的高功率旗舰——第四代GaNSafe氮化镓功率芯片驱动,其集成了控制、驱动、感测以及关键的保护功能,使其在高功率应用中具备了前所未有的可靠性和鲁棒性。


该电源的尺寸为790×73.5×40mm,输入电压范围180–305VAC,输出最高电压为50VDC。当输入电压高于207VAC时输出12kW功率,低于该阈值时输出10kW。其配备主动均流功能及过流、过压、欠压、过热保护机制,可在-5至45℃温度范围内正常运行,12kW负载下保持时间达20ms,浪涌电流为稳态电流3倍(持续时间<20ms),采用内部风扇散热。


NVIDIA推出的下一代800V HVDC架构,旨在为未来AI的计算负载提供高效、可扩展的电力传输能力,实现更高可靠性、更优效率并简化基础设施设计。英伟达在下一代800V HVDC架构采用纳微半导体的GaNFast氮化镓和GeneSiC碳化硅技术开发。


在二次侧DC-DC变换领域,纳微半导体推出80-120V的中压氮化镓功率器件,专为输出48V-54V的AI数据中心电源优化设计,可实现高速、高效、低占板面积的功率转换。


未来展望

纳微计划 2026年推出更高功率方案,并联合英伟达推进 800V HVDC架构,进一步优化AI数据中心的能源效率。


这款12kW电源的发布,标志着GaN+SiC混合设计正式成为下一代AI供电的核心技术,为全球算力基础设施提供高效、可靠的电力支持。

公司介绍
关于我们
新闻资讯
荣誉资质
库存查询
分类查询
供应商查询
帮助中心
在线询价
常见问题
网站地图
联系我们

电话咨询:86-755-83294757

企业QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/ 2850151585

服务时间:9:00-18:00

联系邮箱:chen13410018555@163.com/sales@hkmjd.com

公司地址:广东省深圳市福田区振中路新亚洲国利大厦1239-1241室

CopyRight©2022 版权归明佳达电子公司所有  粤ICP备05062024号-12

官方二维码

品牌索引:

A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

友情链接:

skype:mjdsaler