产品概述BSC028N06LS3G是英飞凌OptiMOS™3系列中的一款60V N沟道功率MOSFET，采用PG-TDSON-8封装，具有2.8mΩ超低导通电阻(RDS(on))和100A连续漏极电流能力，专为高频开关电源、同步整流和电机驱动等高效率应用设计。该器件通过优化开关性能和导通损耗，显著提升系统能效…
产品概述
BSC028N06LS3G是英飞凌OptiMOS™3系列中的一款60V N沟道功率MOSFET，采用PG-TDSON-8封装，具有2.8mΩ超低导通电阻(RDS(on))和100A连续漏极电流能力，专为高频开关电源、同步整流和电机驱动等高效率应用设计。该器件通过优化开关性能和导通损耗，显著提升系统能效，广泛应用于服务器电源、电信设备及工业自动化领域。
核心特性 BSC028N06LS3G
超低导通电阻：2.8mΩ@VGS=10V，大幅降低传导损耗。
高品质因数(FOM)：RDS(on)×Qg=28mΩ×nC，实现高效开关。
100%雪崩测试，确保极端条件下的可靠性。
低栅极电荷(Qg)：典型值28nC，降低驱动损耗。
快速开关速度：上升时间17ns，下降时间19ns，提升高频应用效率。
低反向恢复电荷(Qrr)，改善EMI性能。
PG-TDSON-8封装：优化热阻(RthJC=0.75K/W)。
175°C最高结温，适应严苛工作环境。
符合RoHS标准，无卤素设计。
工作温度范围：-55°C ~ +150°C，适用于汽车及工业应用。
关键参数 BSC028N06LS3G
漏源电压(Vdss)：60V
连续漏极电流(Id)：100A
导通电阻(RDS(on))：2.8mΩ
栅极电荷(Qg)：28nC
输入电容(Ciss)：13000pF
开关时间(tr/tf)：17ns / 19ns
最大功耗(Pd)：2.5W (Ta), 139W (Tc)
封装类型：PG-TDSON-8 (6.1mm×5.35mm)
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明佳达电子的供应优势
大量现货供应 ：深圳明佳达电子拥有充足的 BSC028N06LS3G 库存，能够满足客户的批量采购需求，确保及时交付。
原装正品保障 ：作为专业的电子元器件分销商，明佳达电子提供的 BSC028N06LS3G 均为原装正品，确保产品的质量和可靠性。
灵活的服务模式 ：明佳达电子提供灵活的采购方式，无论是小批量试产还是大批量生产，都能为客户提供个性化的服务，满足不同客户的需求。
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