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供应纳薇氮化镓充电器功率芯片NV6128、NV6127、NV6123

供应纳薇氮化镓充电器功率芯片NV6128、NV6127、NV6123

来源:本站时间:2022-08-24浏览数:

明佳达推出纳薇氮化镓充电器功率芯片NV6128、NV6127、NV6123,其采用QFN6*8mm封装,在使用电流检测电阻时仍能得到增强的散热。欢迎联系我们qq:1668527835,电话:13410018555,邮箱:chen13410018555@163.com,公司首页:www.hkmjd.com

明佳达推出纳薇氮化镓充电器功率芯片NV6128、NV6127、NV6123,其采用QFN6*8mm封装,在使用电流检测电阻时仍能得到增强的散热。


产品型号:NV6128NV6127NV6123

年份:最新21+

封装:QFN


NV6128内部整合集成栅极驱动器,支持10-30V供电,且导通压摆率可编程。具有开尔文源极,有效降低寄生参数对高频开关的影响。NV6128导阻为70mΩ,在纳微的氮化镓功率芯片中最低。芯片额定工作电压为650V,峰值耐压800V,在系统中的可靠性更高,支持2MHz高开关频率。


NV6127采用QFN6*8mm封装,散热性能升级,125mΩ导阻,内置驱动器支持10-30V供电。最高支持2MHz开关频率。


NV6123这颗芯片是NV6113的散热增强版,为高频率和软开关拓扑优化,内部集成驱动器,导阻300mΩ,6*8mm QFN封装。


特征

GaNFast™ 电源 IC

• 大冷却垫

• 使用 CS 电阻时增强散热

• 单片集成栅极驱动器

• 宽 VCC 范围(10 至 30 V)

• 可编程开启 dV/dt

• 200 V/ns dV/dt 抗扰度

• 800 V 瞬态电压额定值

• 650 V 连续额定电压

• 低 125 mΩ 电阻

• 零反向恢复电荷

• ESD 保护 – 1 kV (HBM)、1 kV (CDM)

• 2 MHz 操作

小型、薄型 SMT QFN

• 6 x 8 mm 占用空间,0.85 mm 轮廓

• 最小化封装电感

可持续性

• RoHS、无铅、符合 REACH 标准

• 与硅解决方案相比,节能高达 40%

• 系统级 4kg CO2 碳足迹减少


拓扑/应用

• AC-DC、DC-DC、DC-AC

• QR 反激、PFC、AHB、降压、升压、半桥、全桥、LLC 谐振、D 类

• 无线电源、太阳能微型逆变器、LED 照明、TV SMPS、服务器、电信


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