据最新消息，韩媒 kedglobal 昨日（6 月 10 日）发布博文，报道称美光领先三星和 SK 海力士，成为英伟达下一代内存解决方案 SOCAMM 的首个供应商。SOCAMM 全称 Small Outline Compression Attached Memory Module，即外形更为小巧的 CAMM 压缩附加内存模组，目前的 SOCAM…
据最新消息，韩媒 kedglobal 昨日（6 月 10 日）发布博文，报道称美光领先三星和 SK 海力士，成为英伟达下一代内存解决方案 SOCAMM 的首个供应商。
SOCAMM 全称 Small Outline Compression Attached Memory Module，即外形更为小巧的 CAMM 压缩附加内存模组，目前的 SOCAMM 基于 LPDDR5X DRAM 颗粒。
和此前的 LPCAMM2 类似，SOCAMM 目前同样也是单面四颗粒焊盘、三固定螺丝孔的设计。不过与 LPCAMM2 存在差异的是，SOCAMM 的顶部无凸出的梯形结构，这降低了整体高度，更适合服务器的安装环境和液体冷却。
SOCAMM 的外形尺寸为 90mm×14mm，采用 128bit 位宽；美光展示的产品基于 4 颗 16 芯堆叠的 16Gb DRAM，整体容量达到 128GB，支持 8533 MT/s。
英伟达曾委托三星、SK 海力士和美光三家内存巨头开发 SOCAMM 原型，但美光率先通过认证。据业内人士透露，美光的 LPDDR5X 芯片比竞争对手节能 20%，这成为英伟达选择的重要原因。
美光在散热管理上的创新得益于其对架构设计的专注，而非单纯依赖极紫外光刻（EUV）技术提升密度和良率。
美光正通过大规模投资巩固其地位。今年公司承诺投入 140 亿美元用于资本支出，包括在新加坡、日本和纽约州新建 HBM 工厂。一位行业高管表示，这一激进投资暗示美光可能已与主要超大规模客户签订长期供应合同。
未来展望
美光计划推出HBM4，性能较HBM3E提升50%以上，持续巩固其在AI内存市场的领导地位。随着AI算力需求激增，SOCAMM和HBM3E将成为数据中心、自动驾驶及边缘AI的核心组件，而美光的先发优势将使其在竞争中占据主动。
此次合作标志着AI存储技术进入新阶段，美光与英伟达的强强联合，将推动下一代高性能计算的发展。
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