英飞凌IMZA120R040M1H/IMZA120R040M1HXKSA1 1200V 碳化硅MOSFET采用 TO247-4 封装

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英飞凌IMZA120R040M1H/IMZA120R040M1HXKSA1 1200V 碳化硅MOSFET采用 TO247-4 封装

来源：本站时间：2022-08-23浏览数：

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供应型号：IMZA120R040M1H/IMZA120R040M1HXKSA1

年份：最新21+

描述：通孔 N 通道 1200 V 55A（Tc） 227W（Tc） PG-TO247-4-8

说明：英飞凌采用 TO247 4 引脚封装的 SiC MOSFET 可降低栅极电路上的寄生源极电感效应，从而实现更快的开关速度并提高效率。

规格

FET 类型 N 通道

技术 SiCFET（碳化硅）

漏源电压（Vdss） 1200 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 55A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 15V，18V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 54.4 毫欧 @ 19.3A，18V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 5.2V @ 8.3mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 39 nC @ 18 V

Vgs（最大值） +20V，-5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 1620 nF @ 25 V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 227W（Tc）

工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型通孔

供应商器件封装 PG-TO247-4-8

封装/外壳 TO-247-4

好处

最高效率

减少冷却工作

更高频率的操作

增加功率密度

降低系统复杂性

应用

电池化成

电动汽车快速充电

电机控制和驱动

电源管理 (SMPS) - 参考设计

光伏能源系统解决方案

公司还收购英飞凌IMZA120R040M1H/IMZA120R040M1HXKSA1 1200V 碳化硅MOSFET，长期高价回收各类电子呆料库存：电子元器件、5G模组、新能源模组、5G芯片、基站IC、人工智能IC、网络IC、蓝牙IC、手机IC、汽车IC、通信IC、家电IC、电源IC、驱动IC、物联网IC和模组芯片、连接器、射频模块、存储器、继电器、MOS管、单片机、二三级管等产品。

回收具体流程：

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2、请将库存清单通过传真或邮件方式发送到我们评估团队；

3、等待公司专业人士的采购报价，达成协议后双方商谈具体交易方式进行交付；

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公司首页：www.hkmjd.com

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