供应 ON 晶体管——碳化硅（SiC）晶体管、IGBT晶体管、MOSFET晶体管深圳市明佳达电子有限公司——长期供应【ON】全系列晶体管产品，涵盖 碳化硅 (SiC) 晶体管、IGBT 晶体管、MOSFET 晶体管等产品，公司长期致力于为客户提供高性能、高可靠性的功率器件。明佳达电子长期供…
供应 ON 晶体管——碳化硅（SiC）晶体管、IGBT晶体管、MOSFET晶体管
深圳市明佳达电子有限公司——长期供应【ON】全系列晶体管产品，涵盖 碳化硅 (SiC) 晶体管、IGBT 晶体管、MOSFET 晶体管等产品，公司长期致力于为客户提供高性能、高可靠性的功率器件。
明佳达电子长期供应以下ON 晶体管产品：
一、碳化硅（SiC）晶体管
碳化硅（SiC）材料凭借其高击穿场强、高热导率等特性，使SiC MOSFET和SiC肖特基二极管在高压、高温和高频应用中表现卓越。
典型产品型号：
FFSH40120A：1200V/40A SiC肖特基二极管，反向恢复损耗极低，搭配SiC MOSFET可构建高效全SiC系统。
NVHL080N120SC1：1200V/80mΩ SiC MOSFET，开关频率可达MHz级别，适用于车载充电器（OBC）和光伏逆变器。
NV4TH015N090SC1：900V/15mΩ SiC MOSFET模块，集成半桥拓扑，用于工业电源和储能系统。
二、IGBT晶体管
IGBT（绝缘栅双极型晶体管）结合了MOSFET的高输入阻抗和双极型晶体管的高电流能力，广泛用于逆变器、电机驱动和工业变频器。
典型产品型号：
FGH40T65SQD：650V/40A高速IGBT，优化了短路耐受能力，适合焊接设备和电机控制。
NXV15F120T1：集成反向二极管的汽车级IGBT模块，符合AEC-Q101标准，用于电动汽车驱动系统。
NGTB40N120FL3WG：1200V/40A IGBT，采用Field Stop III技术，开关损耗低，适用于太阳能逆变器和UPS系统。
三、MOSFET晶体管
Onsemi的MOSFET（金属-氧化物半导体场效应晶体管）以低导通电阻（RDS(on)）、高开关频率和低损耗著称，适用于电源转换、电机驱动等场景。
典型产品型号：
FDBL86062：双N沟道MOSFET，耐压60V，专为同步整流设计，适合高频开关电源。
FDMS86101：采用PowerTrench®技术的MOSFET，耐压100V，电流能力高达120A，适用于电动汽车充电模块。
NTMFS5C410N：N沟道MOSFET，耐压40V，连续电流100A，RDS(on)低至0.41mΩ，适用于服务器电源和DC-DC转换器。
此外，明佳达电子还长期供应【ON】功率模块，涵盖 IGBT、MOSFET、SiC、Si/SiC混合模块、二极管、SiC二极管和智能功率模块等；也供应【ON】传感器，涵盖 图像传感器、感应式传感、图像信号处理器（ISP）、图像传感器模块、光电探测器（SPAD、SiPM） 、热管理 、超声波传感器、环境光传感器、电化学传感器AFE等产品。
如需了解更多产品信息或获取样品，欢迎联系明佳达电子团队。
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