LT4422AV：28V、4A理想二极管该器件具有以下主要特性：内部50mΩ电源路径宽工作电压范围：1.9V至28V反向电流保护低静态电流：10μA快速负载阶跃响应：3μs低关断状态电流：500nA在二极管-OR应用中平滑切换10引脚（3mm2mm0.75mm）LDFN封装概述LT4422AV是一款集成P通道MOSF…
LT4422AV：28V、4A理想二极管
该器件具有以下主要特性：
内部50mΩ电源路径
宽工作电压范围：1.9V至28V
反向电流保护
低静态电流：10μA
快速负载阶跃响应：3μs
低关断状态电流：500nA
在二极管-OR应用中平滑切换
10引脚（3mm×2mm×0.75mm）LDFN封装
概述
LT4422AV是一款集成P通道MOSFET的理想二极管，工作范围为1.9V至28V。与肖特基二极管相比，启用该二极管后，其15mV正向电压调节特性可大幅降低功耗，同时提高操作裕量和效率。
LT4422AV能够轻松实现多个电源的ORing功能，从而增加系统可靠性并防止反向导通。非工作状态下，LT4422AV可在输出端阻断高达28V的电压，而且漏电流小于1μA（典型值），性能比典型肖特基二极管提高了好几个数量级，可以有效延长电池寿命。
快速OUT至IN反向偏置检测可大幅减少反向电流，防止输入电池意外充电。当LT4422AV处于关断或反向偏置状态时，开漏STATUS输出会被拉低。
应用场景
LT4422AV适用于多种应用场景，包括但不限于：
肖特基二极管替代品
电池和壁式适配器二极管 ORing
备用电池二极管 ORing
工业和消费类手持应用
此外，LT4422AV还具有以下主要规格：
类型：N+1 ORing 控制器
FET 类型：P 通道
比率 - 输入:输出：1：1
内部开关：是
延迟时间 - 开启：3 µs
延迟时间 - 关闭：15 µs
电流 - 输出（最大值）：4A
电流 - 供电：10 µA
电压 - 供电：1.9V ~ 28V
应用：通用
工作温度：-40°C ~ 125°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
封装/外壳：10-LDFN
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