ROHM开发出适用于AI服务器的100V功率MOSFET——RY7P250BM

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ROHM开发出适用于AI服务器的100V功率MOSFET——RY7P250BM

来源：本站时间：2025-06-03浏览数：

全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）今日宣布，开发出100V耐压的功率MOSFET“RY7P250BM”，是AI服务器的48V电源热插拔电路以及需要电池保护的工业设备电源等应用的理想之选。RY7P250BM为88mm尺寸的MOSFET，预计该尺寸产品未来需求将不断增长，可以轻松替代现…

全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）今日宣布，开发出100V耐压的功率MOSFET“RY7P250BM”，是AI服务器的48V电源热插拔电路以及需要电池保护的工业设备电源等应用的理想之选。

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RY7P250BM为8×8mm尺寸的MOSFET，预计该尺寸产品未来需求将不断增长，可以轻松替代现有产品。另外，新产品同时实现了更宽SOA范围（条件：VDS=48V、Pw＝1ms/10ms）和更低导通电阻（RDS(on)），由此既可确保热插拔（电源启动）工作时的更高产品可靠性，又能优化电源效率，降低功耗并减少发热量。

为了兼顾服务器的稳定运行和节能，热插拔电路必须具有较宽的SOA范围，以承受大电流负载。特别是AI服务器的热插拔电路，与传统服务器相比需要更宽的SOA范围。RY7P250BM的SOA在脉宽10ms时可达16A、1ms时也可达50A，实现业界超优性能，能够应对以往MOSFET难以支持的高负载应用。

RY7P250BM是具有业界超宽SOA范围的MOSFET，并且实现了更低导通电阻，从而大幅降低了通电时的功率损耗和发热量。具有宽SOA范围的普通8×8mm尺寸100V耐压MOSFET的导通电阻绝大多数约为2.28mΩ，而RY7P250BM的导通电阻则降低了约18%——仅有1.86mΩ（条件：VGS=10V、ID=50A、Tj=25℃）。这种低导通电阻有助于提升服务器电源的效率、减轻冷却负荷并降低电力成本。

与此同时，RY7P250BM还被全球知名云平台企业认证为推荐器件，预计未来将在AI服务器领域得到更广泛的应用。在注重可靠性与节能的服务器领域中，RY7P250BM更宽SOA范围与更低导通电阻的平衡在云应用中得到了高度好评。

新产品已经暂以月产100万个的规模投入量产（样品价格800日元/个，不含税）。前道工序的生产基地为ROHM Co., Ltd.（日本滋贺工厂），后道工序的生产基地为OSAT（泰国）。另外，新产品已经开始通过电商进行销售，通过电商平台均可购买。

未来，ROHM将继续扩大适用于服务器和工业设备48V电源的产品阵容，通过提供效率高且可靠性高的解决方案，为建设可持续ICT基础设施和节能贡献力量。

＜开发背景＞

随着AI技术的飞速发展，数据中心的负载急剧增加，服务器功耗也逐年攀升。特别是随着配备生成式AI和高性能GPU的服务器日益普及，如何兼顾进一步提升电力效率和支持大电流这两个相互冲突的需求，一直是个难题。在此背景下，相较传统12V电源系统具有更高转换效率的48V电源系统正在加速扩大应用。另外，在服务器运行状态下实现模块更换的热插拔电路中，需要兼具更宽SOA范围和更低导通电阻的MOSFET，以防止浪涌电流和过载时造成损坏。新产品“RY7P250BM”在8×8mm尺寸中同时具备业界超宽SOA范围和超低导通电阻，有助于降低数据中心的功率损耗、减轻冷却负荷，从而提升服务器的可靠性并实现节能。

＜应用示例＞

AI（人工智能）服务器和数据中心的48V系统电源热插拔电路

工业设备48V系统电源（叉车、电动工具、机器人、风扇电机等）

AGV（自动导引车）等电池驱动的工业设备

UPS、应急电源系统（电池备份单元）

本公司网站：www.hkmjd.com

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