深圳明佳达电子公司出售碳化硅 CoolSiC™ MOSFETs IMBG120R090M1H 1200V沟槽型，只做原装，大量工厂库存，价格可详谈，欢迎联系陈先生qq1668527835，电话13410018555！该器件型号是采用D2PAK-7L (TO-263-7)封装的1200 V, 90 mΩ CoolSiC™ SiC MOSFET，它基于先进的沟槽工…
深圳明佳达电子公司出售碳化硅 CoolSiC™ MOSFETs IMBG120R090M1H 1200V沟槽型，只做原装，大量工厂库存，价格可详谈，欢迎联系陈先生qq1668527835，电话13410018555！该器件型号是采用D2PAK-7L (TO-263-7)封装的1200 V, 90 mΩ CoolSiC™ SiC MOSFET，它基于先进的沟槽工艺，该工艺经过优化，兼具性能与可靠性。
产品型号：IMBG120R090M1H
批号：21+
描述：采用TO-263-7封装的1200 V CoolSiC™沟槽型碳化硅MOSFET
规格参数
FET 类型 N 通道
技术 SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss） 1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 26A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 125 毫欧 @ 8.5A，18V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 5.7V @ 3.7mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 23 nC @ 18 V
Vgs（最大值） +18V，-15V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 763 pF @ 800 V
FET 功能 标准
功率耗散（最大值） 136W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 PG-TO263-7-12
封装/外壳 TO-263-8，D²Pak（7 引线+接片），TO-263CA
基本产品编号 IMBG120
应用领域
不间断电源（UPS）
电动汽车快速充电
工业电机驱动和控制
太阳能系统解决方案
公司还回收此款英飞凌碳化硅 CoolSiC™ MOSFETs IMBG120R090M1H，只需原装正品，散新翻新均不考虑，有原厂外包装则优先，如有大量库存要处理请联系！
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