这款节省空间的器件最大RthJC低至0.36 ℃ / W，并配有易于吸附焊锡的侧翼，从而改善工业应用的热性能和可焊性日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出一款采用无引线键合（BWL）封装并具有业内先进导通电阻的新款80 V TrenchFET Gen IV N沟道功率MOSFET---…
这款节省空间的器件最大RthJC低至0.36 ℃ / W，并配有易于吸附焊锡的侧翼，从而改善工业应用的热性能和可焊性
日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出一款采用无引线键合（BWL）封装并具有业内先进导通电阻的新款80 V TrenchFET® Gen IV N沟道功率MOSFET---SiEH4800EW，旨在提高工业应用的效率。与相同尺寸的竞品器件相比，Vishay Siliconix SiEH4800EW的导通电阻低15 %，而RthJC低18 %。
日前发布的器件在10 V下的导通电子典型值为0.88 mW，最大限度降低了传导造成的功率损耗，从而提高了效率，同时以低至0.36 ℃/W的最大RthJC改善了热性能。这款节省空间的器件体积为8 mm x 8 mm，与采用TO-263封装的MOSFET相比，PCB面积减少50 %，而且其厚度仅为1 mm。
SiEH4800EW采用融合的焊盘，将源焊盘的可焊面积增加到3.35 mm2，比传统PIN焊接面积大四倍。这降低了MOSFET和PCB之间的电流密度，从而降低了电迁移的风险，使设计更加可靠。此外，器件易于吸附焊锡的侧翼增强了可焊性，同时更容易通过目视检查焊点的可靠性。
这款MOSFET的常适合同步整流和Oring应用。典型应用包括电机驱动控制器、电动工具、焊接设备、等离子切割机、电池管理系统、机器人和3D打印机。在这些应用中，该器件可在+175 ℃的高温下工作，而其BWL设计可将寄生电感降至最低，同时使电流能力最大化。
MOSFET符合RoHS标准，无卤素，并且经过100 %的Rg和UIS测试。
电话咨询：86-755-83294757
企业QQ：1668527835/ 2850151598/ 2850151584/ 2850151585
服务时间：9:00-18:00
联系邮箱：chen13410018555@163.com/sales@hkmjd.com
公司地址：广东省深圳市福田区振中路新亚洲国利大厦1239-1241室
CopyRight©2022 版权归明佳达电子公司所有 粤ICP备05062024号-12
官方二维码
友情链接:
最新资讯
