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滤波器

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晶体管 - FET，MOSFET - 单个 双极（BJT）晶体管 碳化硅（SiC）JFET 硅二极管 电源模块 射频晶体管 功率 MOSFET 模块 碳化硅（SIC）FET 模块 碳化硅（SIC）FET P 沟道 MOSFET 晶体管 - 射频 FET，MOSFET MOSFET 模块 晶闸管 二极管阵列模块 MOSFET 晶体管 N 沟道 MOSFET IGBT 晶体管 二极管与整流器 肖特基二极管与整流器 单齐纳二极管 双极晶体管阵列 功率驱动器模块 二极管 - 整流器 - 单 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列

电源管理

氮化镓 (GaN) IC 线性稳压器LDO AC-DC控制器和稳压器 DC-DC电源产品 电压基准 电池管理 升压控制器 以太网供电（PoE）控制器

连接器

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供应碳化硅 MOSFET 晶体管 IMBG65R039M1H 650V SiC MOSFET

供应碳化硅 MOSFET 晶体管 IMBG65R039M1H 650V SiC MOSFET

来源：本站时间：2022-08-22浏览数：

明佳达全新原装供应碳化硅 MOSFET 晶体管 IMBG65R039M1H 650V SiC MOSFET，采用紧凑型 7 引脚 SMD 封装，基于先进的英飞凌碳化硅沟槽技术，适于大功率应用。

 明佳达全新原装供应碳化硅 MOSFET 晶体管 IMBG65R039M1H 650V SiC MOSFET，采用紧凑型 7 引脚 SMD 封装，基于先进的英飞凌碳化硅沟槽技术，适于大功率应用。


产品型号：IMBG65R039M1H/IMBG65R039M1HXTMA1

品牌： INFINEON

年份：最新21+

封装： TO-263-7


参数

产品种类: MOSFET

技术: SiC

安装风格: SMD/SMT

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 650 V

Id-连续漏极电流: 54 A

Rds On-漏源导通电阻: 51 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 5 V, + 23 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 5.7 V

Qg-栅极电荷: 41 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 175 C

Pd-功率耗散: 211 W


优势

高性能、高可靠性且易于使用

高系统效率和高功率密度

降低系统成本和复杂度

打造成本更低、结构更简单且尺寸更小的系统

采用连续硬换向拓扑

适于高温和恶劣的工作环境

实现双向拓扑


应用

服务器

电信

开关电源 (SMPS)

太阳能系统

储能和电池系统

不间断电源 (UPS)

电动汽车充电

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供求碳化硅MOSFET IMZA120R014M1H、IMZA120R014M1HXKSA1 1200V沟槽型 返回
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