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全新原装RF晶体管 [GTVA262701FA-V2-R2] 射频结栅场效应晶体管

全新原装RF晶体管 [GTVA262701FA-V2-R2] 射频结栅场效应晶体管

来源:本站时间:2024-04-15浏览数:

GTVA262701FA-V2-R2是一款 270 瓦的碳化硅氮化镓高电子迁移率晶体管 (HEMT),适用于多标准蜂窝功率放大器应用。

深圳市明佳达电子有限公司出售全新原装RF晶体管 [GTVA262701FA-V2-R2] 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 270W GaN HEMT 48V 2496 to 2690MHz


描述 

GTVA262701FA-V2-R2是一款 270 瓦的碳化硅氮化镓高电子迁移率晶体管 (HEMT),适用于多标准蜂窝功率放大器应用。它具有输入匹配、高效率和无耳法兰热增强表面贴装封装等特点。


特点

• SiC HEMT 氮化镓技术

• 输入匹配

• 典型脉冲 CW 性能:10 µs 脉宽、10% 占空比、2690 MHz、48 V

- P3dB 时的输出功率 = 270 W

- 效率 = 66

- 增益 = 18.1 dB

• 人体模型 1B 级(符合 ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 标准)

• 能够处理 10:1 VSWR @ 48 V、60 W(WCDMA)输出功率

• 无铅,符合 RoHS 规范


类别: 晶体管

系列: GaN  

包装: 卷带(TR)  

零件状态: 在售  

技术: HEMT  

频率: 2.62GHz ~ 2.69GHz  

增益: 17dB  

电压 - 测试: 48 V  

额定电流(安培): -  

噪声系数: -  

电流 - 测试: 320 mA  

功率 - 输出: 270W  

电压 - 额定: 125 V  

安装类型: 表面贴装型  

封装/外壳: H-87265J-2  

供应商器件封装: H-87265J-2  

基本产品编号:GTVA262701 

GTVA262701FA-V2-R2.jpg

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