GTVA262701FA-V2-R2是一款 270 瓦的碳化硅氮化镓高电子迁移率晶体管 (HEMT),适用于多标准蜂窝功率放大器应用。
深圳市明佳达电子有限公司出售全新原装RF晶体管 [GTVA262701FA-V2-R2] 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 270W GaN HEMT 48V 2496 to 2690MHz
描述
GTVA262701FA-V2-R2是一款 270 瓦的碳化硅氮化镓高电子迁移率晶体管 (HEMT),适用于多标准蜂窝功率放大器应用。它具有输入匹配、高效率和无耳法兰热增强表面贴装封装等特点。
特点
• SiC HEMT 氮化镓技术
• 输入匹配
• 典型脉冲 CW 性能:10 µs 脉宽、10% 占空比、2690 MHz、48 V
- P3dB 时的输出功率 = 270 W
- 效率 = 66
- 增益 = 18.1 dB
• 人体模型 1B 级(符合 ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 标准)
• 能够处理 10:1 VSWR @ 48 V、60 W(WCDMA)输出功率
• 无铅,符合 RoHS 规范
类别: 晶体管
系列: GaN
包装: 卷带(TR)
零件状态: 在售
技术: HEMT
频率: 2.62GHz ~ 2.69GHz
增益: 17dB
电压 - 测试: 48 V
额定电流(安培): -
噪声系数: -
电流 - 测试: 320 mA
功率 - 输出: 270W
电压 - 额定: 125 V
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: H-87265J-2
供应商器件封装: H-87265J-2
基本产品编号:GTVA262701
电话咨询:86-755-83294757
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