供应全新原装IMBG120R220M1H_IMBG120R220M1HXTMA1 1200V 沟槽型碳化硅 MOSFET

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供应全新原装IMBG120R220M1H_IMBG120R220M1HXTMA1 1200V 沟槽型碳化硅 MOSFET

来源：本站时间：2022-08-20浏览数：

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明佳达供应全新原装IMBG120R220M1H_IMBG120R220M1HXTMA1 1200V 沟槽型碳化硅 MOSFET

型号：IMBG120R220M1H_IMBG120R220M1HXTMA1

品牌：英飞凌

年份：最新21+

描述：IMBG120R220M1H 采用TO-263-7封装的1200 V CoolSiC™沟槽型碳化硅MOSFET。

规格参数

FET 类型 N 通道

技术 SiCFET（碳化硅）

漏源电压（Vdss） 1200 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 13A（Tc）

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 294 毫欧 @ 4A，18V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 5.7V @ 1.6mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 9.4 nC @ 18 V

Vgs（最大值） +18V，-15V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 312 pF @ 800 V

FET 功能标准

功率耗散（最大值） 83W（Tc）

工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型表面贴装型

供应商器件封装 PG-TO263-7-12

封装/外壳 TO-263-8，D²Pak（7 引线+接片），TO-263CA

优势

提高效率

实现更高的工作频率

增加功率密度

减少冷却工作

降低系统复杂程度和成本

SMD封装，无需增设散热器，即可实现自然对流冷却，因此可直接集成到PCB中

应用领域

不间断电源（UPS）

电动汽车快速充电

工业电机驱动和控制

太阳能系统解决方案

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