LTC7897RUFD是一款高性能、100%占空比的同步降压DC/DC开关稳压器控制器，具有宽输入和输出电压范围，适用于多种应用场景。1、性能特点LTC7897RUFD开关控制器的主要特点包括：宽VIN 范围：4V至135V（绝对最大值为140V）宽输出电压范围：0.8V≤VOUT ≤135V（绝对最大值为14…
LTC7897RUFD是一款高性能、100%占空比的同步降压DC/DC开关稳压器控制器，具有宽输入和输出电压范围，适用于多种应用场景。
1、性能特点
LTC7897RUFD开关控制器的主要特点包括：
宽VIN 范围：4V至135V（绝对最大值为140V）
宽输出电压范围：0.8V≤VOUT ≤135V（绝对最大值为140V）
可调栅极驱动电平：5V至10V（OPTI-DRIVE，绝对最大值为15V）
可调驱动器电压UVLO
分离输出栅极驱动器，用于调节导通和关断驱动器强度
自适应或电阻可调死区时间
100%占空比工作
低工作IQ ：5μA（48VIN 至3.3VOUT）
扩频调频
可编程频率（100 kHz至2.5 MHz）
可同步频率（100kHz至2.5MHz）
28引脚（4mmx5mm）QFN封装
2、概述
LTC7897RUFD是一款高性能、100% 占空比、同步降压型、DC/DC 开关稳压器控制器，可驱动 N 通道同步硅金属氧化物场效应晶体管 (MOSFET) 的所有功率级别。同步整流可提高效率、降低功耗，并通过减少散热需求，简化应用设计。
LTC7897RUFD具有宽输入和宽输出电压范围，可实现高降压比和广泛的正负电压转换。LTC7897RUFD的栅极驱动器具有高鲁棒性，绝对最大耐压为15V，同时兼具灵活性，通过可调驱动电平和死区时间实现设计优化。
LTC7897RUFD的栅极驱动电压可在5V至10V范围内调节（可选），从而兼容逻辑电平或标准阈值MOSFET。LTC7897RUFD的死区时间可通过外部电阻器进行优化，以获得裕度或定制应用，从而实现更高效率，并支持高频运行。
3、应用场景
LTC7897RUFD适合用于多种应用场景，包括：
工业电力系统
军事/航空电子
电信电源系统
此外，LTC7897RUFD还具有以下主要参数：
输出类型：晶体管驱动器
功能：降压
输出配置：正
拓扑：降压
输出数：1
输出阶段：1
电压 - 供电 (Vcc/Vdd)：4V ~ 135V
频率 - 开关：100kHz ~ 2.5MHz
占空比（最大）：100%
同步整流器：是
时钟同步：是
串行接口：-
控制特性：限流，空载时间控制，频率控制，相位控制，电源良好，软启动，跟踪
工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
封装/外壳：28-QFN
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