5 月 23 日消息，SK 海力士宣布公司成功开发出搭载全球最高 321 层 1Tb（太比特，Terabit）TLC（Triple Level Cell）4D NAND 闪存的移动端解决方案产品 UFS 4.1。SK 海力士表示：“为了在移动设备上实现端侧（On-device）AI 的稳定运行，所搭载的 NAND 闪存解决方案产品必…
5 月 23 日消息，SK 海力士宣布公司成功开发出搭载全球最高 321 层 1Tb（太比特，Terabit）TLC（Triple Level Cell）4D NAND 闪存的移动端解决方案产品 UFS 4.1。
SK 海力士表示：“为了在移动设备上实现端侧（On-device）AI 的稳定运行，所搭载的 NAND 闪存解决方案产品必须兼具高性能与低功耗特性。依托这款对 AI 工作负载优化的 UFS 4.1 产品，公司将进一步巩固其在旗舰智能手机市场中的存储器技术领导地位。”
据介绍，随着端侧 AI 的需求持续增长，终端设备的计算性能与电池效率之间的平衡日趋关键，超薄设计和低功耗特性已成为移动设备的行业标准。
顺应这一趋势，公司此次开发的新品较上一代基于 238 层 NAND 闪存的产品能效提升了 7%。同时，成功将产品厚度从 1mm 减薄至 0.85mm，使其能够适配超薄智能手机。
据查询获悉，该产品支持第四代 UFS 产品的顺序读取峰值，数据传输速率高达 4300MB/s。决定移动设备多任务处理能力的随机读取和写入速度，相较上一代产品分别提升了 15% 与 40%，达到现存 UFS 4.1 产品中全球领先水平。
该产品提供 512GB 和 1TB 两种容量规格。公司计划于今年内向客户交付样品以进行验证流程，并将于明年第一季度正式进入量产阶段。
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