明佳达公司推出全新原装IMBG120R220M1H_IMBG120R220M1HXTMA1 1200V 沟槽型碳化硅 MOSFET,欢迎咨询qq：1668527835电话：13410018555邮箱：chen13410018555@163.com
明佳达公司推出全新原装IMBG120R220M1H_IMBG120R220M1HXTMA1 1200V 沟槽型碳化硅 MOSFET
型号：IMBG120R220M1H_IMBG120R220M1HXTMA1
年份：最新21+
封装：TO-263-7
描述：IMBG120R220M1H 采用TO-263-7封装的1200 V CoolSiC™沟槽型碳化硅MOSFET。
规格参数
FET 类型 N 通道
技术 SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss） 1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 13A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 294 毫欧 @ 4A，18V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 5.7V @ 1.6mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 9.4 nC @ 18 V
Vgs（最大值） +18V，-15V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 312 pF @ 800 V
FET 功能 标准
功率耗散（最大值） 83W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 PG-TO263-7-12
封装/外壳 TO-263-8，D²Pak（7 引线+接片），TO-263CA
优势
提高效率
实现更高的工作频率
增加功率密度
减少冷却工作
降低系统复杂程度和成本
SMD封装，无需增设散热器，即可实现自然对流冷却，因此可直接集成到PCB中
应用领域
不间断电源（UPS）
电动汽车快速充电
工业电机驱动和控制
太阳能系统解决方案
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