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【ST】STL8DN6LF6AG 60V 汽车级双 N 沟道 MOSFET 晶体管

【ST】STL8DN6LF6AG 60V 汽车级双 N 沟道 MOSFET 晶体管

来源:本站时间:2024-03-28浏览数:

深圳市明佳达电子有限公司【ST】STL8DN6LF6AG 60V 汽车级双 N 沟道 MOSFET 晶体管产品概览STL8DN6LF6AG 是一款双 N 沟道功率 MOSFET,采用 STripFET™ F6 技术和新型沟槽栅极结构开发而成。由此产生的功率 MOSFET 在所有封装中都具有极低的 RDS(on)。产品属性配置:2 N-通…

深圳市明佳达电子有限公司【ST】STL8DN6LF6AG 60V 汽车级双 N 沟道 MOSFET 晶体管


产品概览

STL8DN6LF6AG 是一款双 N 沟道功率 MOSFET,采用 STripFET™ F6 技术和新型沟槽栅极结构开发而成。由此产生的功率 MOSFET 在所有封装中都具有极低的 RDS(on)。


产品属性

配置:2 N-通道(双)

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):32A(Tc)

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):27 毫欧 @ 9.6A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA

工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)

等级:汽车级

安装类型:表面贴装型

封装/外壳:8-PowerVDFN

供应商器件封装:PowerFlat™(5x6)


产品特性

极低导通电阻

极低的栅极电荷

高雪崩坚固性

栅极驱动功率损耗低

可润湿侧面封装


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