深圳市明佳达电子有限公司【ST】STL8DN6LF6AG 60V 汽车级双 N 沟道 MOSFET 晶体管产品概览STL8DN6LF6AG 是一款双 N 沟道功率 MOSFET，采用 STripFET™ F6 技术和新型沟槽栅极结构开发而成。由此产生的功率 MOSFET 在所有封装中都具有极低的 RDS(on)。产品属性配置：2 N-通…
深圳市明佳达电子有限公司【ST】STL8DN6LF6AG 60V 汽车级双 N 沟道 MOSFET 晶体管
产品概览
STL8DN6LF6AG 是一款双 N 沟道功率 MOSFET，采用 STripFET™ F6 技术和新型沟槽栅极结构开发而成。由此产生的功率 MOSFET 在所有封装中都具有极低的 RDS(on)。
产品属性
配置：2 N-通道（双）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：32A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：27 毫欧 @ 9.6A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250µA
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
等级：汽车级
安装类型：表面贴装型
封装/外壳：8-PowerVDFN
供应商器件封装：PowerFlat™（5x6）
产品特性
极低导通电阻
极低的栅极电荷
高雪崩坚固性
栅极驱动功率损耗低
可润湿侧面封装
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