概述:MASTERGAN1是一款先进的系统级功率封装,在半桥配置中集成了栅极驱动器和两个增强模式GaN晶体管。集成功率GaN具有150 mΩ的RDS(ON)和650 V漏源击穿电压,而嵌入式栅极驱动器的高侧可由集成式自举二极管轻松提供。MASTERGAN1在上下驱动部分均具有UVLO保护,可防止…
概述:
MASTERGAN1是一款先进的系统级功率封装,在半桥配置中集成了栅极驱动器和两个增强模式GaN晶体管。
集成功率GaN具有150 mΩ的RDS(ON)和650 V漏源击穿电压,而嵌入式栅极驱动器的高侧可由集成式自举二极管轻松提供。
MASTERGAN1在上下驱动部分均具有UVLO保护,可防止电源开关在低效率或危险条件下运行,并且互锁功能可避免交叉传导情况。
输入引脚的扩展范围可与微控制器、DSP单元或霍尔效应传感器轻松连接。
器件:MASTERGAN1TR
类型:GaN半桥驱动器
封装:QFN-31
主要功能
集成半桥栅极驱动器和高压GaN的系统级功率封装
RDS(ON) = 150 mΩ
IDS(MAX) = 10 A
IDS(MAX) = 10 A
反向电流能力
零反向恢复损耗
低边和高边UVLO保护
内置自举二极管
互锁功能
关闭功能专用引脚
准确的内部定时匹配
具有滞回和下拉功能的3.3 V至15 V兼容输入
过热保护
减少物料单
非常紧凑且简便的布局
灵活快捷的设计。
应用
• 电动汽车充电器
• 太阳能逆变器
• 电力电子设备
• 工业电机驱动器
• 电源适配器
深圳市明佳达电子有限公司(供应)(回收)GaN半桥器件MASTERGAN1TR,如有兴趣,欢迎致电咨询!
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