WeEn WNSC2D401200CW 高频开关电源用双通道碳化硅肖特基二极管

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来源：本站时间：2025-05-19浏览数：

WeEn WNSC2D401200CW 高频开关电源用双通道碳化硅肖特基二极管深圳市明佳达电子有限公司作为电子元器件供应行业的领军企业，长期供应WNSC2D401200CW高频开关电源用双通道碳化硅肖特基二极管。作为碳化硅(SiC)功率器件家族的重要成员，WNSC2D401200CW凭借其卓越的高频性能…

WeEn WNSC2D401200CW 高频开关电源用双通道碳化硅肖特基二极管

深圳市明佳达电子有限公司作为电子元器件供应行业的领军企业，长期供应WNSC2D401200CW高频开关电源用双通道碳化硅肖特基二极管。作为碳化硅(SiC)功率器件家族的重要成员，WNSC2D401200CW凭借其卓越的高频性能、极低的反向恢复损耗和高温工作能力，正在成为高效能电力电子系统设计的首选器件之一。

WNSC2D401200CW的产品概述

WNSC2D401200CW是WeEn半导体公司推出的一款双通道碳化硅肖特基二极管，专为高频开关电源应用优化设计。WNSC2D401200CW采用先进的碳化硅材料技术，具有1200V的反向重复峰值电压(VRRM)和40A的连续正向电流(IF)能力，在高温环境下仍能保持出色的电气性能。

与传统硅基肖特基二极管相比，WNSC2D401200CW的最大优势在于其几乎为零的反向恢复特性。在硬开关应用中，传统硅二极管在关断时会产生显著的反向恢复电流，导致额外的开关损耗和EMI噪声。而WNSC2D401200CW碳化硅肖特基二极管基于宽禁带半导体材料的物理特性，从根本上消除了这一现象，使得系统能够在更高频率下工作而不牺牲效率。

WNSC2D401200CW的双通道设计为电源拓扑提供了更高的设计灵活性。工程师可以将两个独立的二极管用于交错式PFC电路、双开关正激变换器或半桥/全桥整流应用，通过共享散热器简化系统热管理。TO-247-3L封装采用工业标准引脚排列，与现有设计兼容，便于客户进行器件替换和性能升级。

WNSC2D401200CW的关键参数：

电压电流规格：VRRM=1200V，IF=40A(连续)，IFSM=120A(浪涌)

导通特性：典型正向压降VF=1.7V(@IF=20A，TJ=25°C)

开关性能：几乎零反向恢复电荷(Qrr<30nC)，显著降低开关损耗

热特性：工作结温范围-55°C至+175°C，热阻RθJC=0.5°C/W

封装形式：TO-247-3L双通道封装，优化散热设计

WNSC2D401200CW的技术优势

WeEn WNSC2D401200CW碳化硅肖特基二极管代表了功率半导体技术的前沿发展，其技术优势不仅体现在单一参数上，更在于为电力电子系统带来的整体性能提升。在效率、功率密度和可靠性三个维度上，该WNSC2D401200CW器件能为设计人员提供显著的价值。

效率提升：

超低开关损耗：Qrr<30nC的特性使得开关频率可提升至数百kHz而不显著增加损耗，相比硅基快恢复二极管可降低开关损耗达80%以上

高温稳定性：WNSC2D401200CW在175°C高温下，VF漂移小于15%，而硅器件通常会有30%以上的性能衰减