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[ON] NVTFS027N10MCLTAG 100V 单 N 沟道功率 MOSFET 晶体管,8-WDFN

[ON] NVTFS027N10MCLTAG 100V 单 N 沟道功率 MOSFET 晶体管,8-WDFN

来源:本站时间:2024-03-23浏览数:

深圳市明佳达电子有限公司 [ON] NVTFS027N10MCLTAG 100V 单 N 沟道功率 MOSFET 晶体管,8-WDFN产品描述NVTFS027N10MCLTAG 是汽车功率 MOSFET 晶体管,采用 3x3mm 扁平引线封装,专为紧凑型高效设计而设计,具有高散热性能。提供用于增强光学检测的可润湿侧翼选件。通过 A…

深圳市明佳达电子有限公司 [ON] NVTFS027N10MCLTAG 100V 单 N 沟道功率 MOSFET 晶体管,8-WDFN


产品描述

NVTFS027N10MCLTAG 是汽车功率 MOSFET 晶体管,采用 3x3mm 扁平引线封装,专为紧凑型高效设计而设计,具有高散热性能。提供用于增强光学检测的可润湿侧翼选件。通过 AEC-Q101 认证的 MOSFET 和 PPAP 适用于汽车应用。


产品属性

FET 类型:N 通道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):100 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7.4A(Ta),28A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):26 毫欧 @ 7A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):3V @ 38µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):11.5 nC @ 10 V

Vgs(最大值):±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):800 pF @ 50 V

功率耗散(最大值):3.1W(Ta),46W(Tc)

工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

供应商器件封装:8-WDFN(3.3x3.3)

封装/外壳:8-PowerWDFN


产品特性

占用空间小(3x3 毫米)

低 RDS(导通)

低 QG 和电容

提供可润湿侧翼选项

符合 RoHS 规范


如有需求请致电咨询陈先生:

QQ:1668527835

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