深圳市明佳达电子有限公司 [ON] NVTFS027N10MCLTAG 100V 单 N 沟道功率 MOSFET 晶体管,8-WDFN产品描述NVTFS027N10MCLTAG 是汽车功率 MOSFET 晶体管,采用 3x3mm 扁平引线封装,专为紧凑型高效设计而设计,具有高散热性能。提供用于增强光学检测的可润湿侧翼选件。通过 A…
深圳市明佳达电子有限公司 [ON] NVTFS027N10MCLTAG 100V 单 N 沟道功率 MOSFET 晶体管,8-WDFN
产品描述
NVTFS027N10MCLTAG 是汽车功率 MOSFET 晶体管,采用 3x3mm 扁平引线封装,专为紧凑型高效设计而设计,具有高散热性能。提供用于增强光学检测的可润湿侧翼选件。通过 AEC-Q101 认证的 MOSFET 和 PPAP 适用于汽车应用。
产品属性
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7.4A(Ta),28A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):26 毫欧 @ 7A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):3V @ 38µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):11.5 nC @ 10 V
Vgs(最大值):±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):800 pF @ 50 V
功率耗散(最大值):3.1W(Ta),46W(Tc)
工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:8-WDFN(3.3x3.3)
封装/外壳:8-PowerWDFN
产品特性
占用空间小(3x3 毫米)
低 RDS(导通)
低 QG 和电容
提供可润湿侧翼选项
符合 RoHS 规范
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