深圳市明佳达电子有限公司 [ON] NVTFS027N10MCLTAG 100V 单 N 沟道功率 MOSFET 晶体管，8-WDFN产品描述NVTFS027N10MCLTAG 是汽车功率 MOSFET 晶体管，采用 3x3mm 扁平引线封装，专为紧凑型高效设计而设计，具有高散热性能。提供用于增强光学检测的可润湿侧翼选件。通过 A…
深圳市明佳达电子有限公司 [ON] NVTFS027N10MCLTAG 100V 单 N 沟道功率 MOSFET 晶体管，8-WDFN
产品描述
NVTFS027N10MCLTAG 是汽车功率 MOSFET 晶体管，采用 3x3mm 扁平引线封装，专为紧凑型高效设计而设计，具有高散热性能。提供用于增强光学检测的可润湿侧翼选件。通过 AEC-Q101 认证的 MOSFET 和 PPAP 适用于汽车应用。
产品属性
FET 类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：7.4A（Ta），28A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：26 毫欧 @ 7A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3V @ 38µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：11.5 nC @ 10 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：800 pF @ 50 V
功率耗散（最大值）：3.1W（Ta），46W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
供应商器件封装：8-WDFN（3.3x3.3）
封装/外壳：8-PowerWDFN
产品特性
占用空间小（3x3 毫米）
低 RDS（导通）
低 QG 和电容
提供可润湿侧翼选项
符合 RoHS 规范
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